參數(shù)資料
型號(hào)： MT28F016S5VG-9
廠商： Micron Technology, Inc.
英文描述： 2 MEG x 8 SMART 5 EVEN-SECTORED FLASH MEMORY
中文描述： 2邁可× 8的SMART 5偶扇區(qū)快閃記憶體
文件頁(yè)數(shù)： 16/24頁(yè)
文件大小： 282K
代理商： MT28F016S5VG-9
16
2 Meg x 8 Smart 5 Even-Sectored Flash Memory
F42.p65 – Rev. 1/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
ADVANCE
2 MEG x 8
SMART 5 EVEN-SECTORED FLASH MEMORY
ELECTRICAL CHARACTERISTICS AND RECOMMENDED DC READ
OPERATING CONDITIONS
(0°C
￡
T
A
￡
+70°C)
PARAMETER/CONDITION
5V Supply Voltage
Input High (Logic 1) Voltage, all inputs
Input Low (Logic 0) Voltage, all inputs
SYMBOL
V
CC
V
IH
V
IL
MIN
4.5
2
-0.5
MAX
5.5
V
CC
+ 0.5
0.8
UNITS
V
V
V
NOTES
1
1
1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS*
Voltage on V
CC
Supply
Relative to V
SS
............................. -0.5V to +6V**
Input Voltage Relative to V
SS
................ -0.5V to +6V**
V
PP
Voltage Relative to V
SS
.................-0.5V to +12.6V
Temperature Under Bias ...................... -10°C to +80°C
Storage Temperature (plastic) ............ -55°C to +125°C
Power Dissipation ................................................... 1W
*Stresses greater than those listed under “Absolute
Maximum Ratings” may cause permanent damage to
the device. This is a stress rating only, and functional
operation of the device at these or any other conditions
above those indicated in the operational sections of
this specification is not implied. Exposure to absolute
maximum rating conditions for extended periods may
affect reliability.
**V
CC
, input and I/O pins may transition to -2V for
<20ns and V
CC
+ 2V for <20ns.
Voltage may pulse to -2V for <20ns and 14V for <20ns.
DC OPERATING CHARACTERISTICS
(0°C
￡
T
A
￡
+70°C)
PARAMETER/CONDITION
OUTPUT VOLTAGE LEVELS (TTL)
Output High Voltage (I
OH
= -2.5mA)
Output Low Voltage (I
OL
= 5.8mA)
OUTPUT VOLTAGE LEVELS (CMOS)
Output High Voltage (I
OH
= -100μA)
INPUT LEAKAGE CURRENT
Any input (0V
￡
V
IN
￡
V
CC
);
All other pins not under test = 0V
OUTPUT LEAKAGE CURRENT
(D
OUT
is disabled; 0V
￡
V
OUT
￡
V
CC
)
SYMBOL
V
OH
1
MIN
2.4
MAX
–
UNITS
V
NOTES
1
V
OL
V
OH
2
–
0.45
–
V
V
V
CC
- 0.4
1
I
L
-1
1
μA
I
OZ
-10
10
μA
NOTE:
1. All voltages referenced to V
SS
.
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PDF描述
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MT28F128J3BS-12 MET 功能描述:IC FLASH 128MBIT 120NS 64FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
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