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參數(shù)資料
| 型號： | MT28F016S5VG-9 |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 2 MEG x 8 SMART 5 EVEN-SECTORED FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 2邁可× 8的SMART 5偶扇區(qū)快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 18/24頁 |
| 文件大?。?/td> | 282K |
| 代理商： | MT28F016S5VG-9 |
18
2 Meg x 8 Smart 5 Even-Sectored Flash Memory
F42.p65 – Rev. 1/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
ADVANCE
2 MEG x 8
SMART 5 EVEN-SECTORED FLASH MEMORY
READ TIMING PARAMETERS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS AND RECOMMENDED AC OPERATING CONDITIONS
(0°C
￡
T
A
￡
+70°C; V
CC
= +5V ±10%)
AC CHARACTERISTICS
PARAMETER
READ cycle time
Access time from CE#
Access time from OE#
Access time from address
RP# HIGH to output valid delay
OE# or CE# HIGH to output in High-Z
Output hold time from OE#, CE# or address change
-9
SYMBOL
t
RC
t
ACE
t
AOE
t
AA
t
RWH
t
OD
t
OH
MIN
90
MAX
UNITS NOTES
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
90
45
90
400
20
1
1
0
AC TEST CONDITIONS
Input pulse levels ............................................... 0.4V to 2.4V
Input rise and fall times ................................................ <10ns
Input timing reference level .............................. 0.8V and 2V
Output timing reference level........................... 0.8V and 2V
Output load ................................. 1 TTL gate and C
L
= 100pF
NOTE:
1. OE# may be delayed by
t
ACE minus
t
AOE after CE# falls before
t
ACE is affected.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| MT28F128J3BS-12 ET TR | 功能描述:IC FLASH 128MBIT 120NS 64FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤 |
| MT28F128J3BS-12 MET | 功能描述:IC FLASH 128MBIT 120NS 64FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869 |
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