參數(shù)資料
型號(hào)： MT28F016S5VG-9
廠商： Micron Technology, Inc.
英文描述： 2 MEG x 8 SMART 5 EVEN-SECTORED FLASH MEMORY
中文描述： 2邁可× 8的SMART 5偶扇區(qū)快閃記憶體
文件頁(yè)數(shù)： 13/24頁(yè)
文件大?。?/td> 282K
代理商： MT28F016S5VG-9
13
2 Meg x 8 Smart 5 Even-Sectored Flash Memory
F42.p65 – Rev. 1/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
ADVANCE
2 MEG x 8
SMART 5 EVEN-SECTORED FLASH MEMORY
COMPLETE WRITE STATUS-CHECK
SEQUENCE
SELF-TIMED WRITE SEQUENCE
1
YES
NO
WRITE 40H or 10H
V
PP
= 5V
V
PP
V
CC
Start
WRITE Byte
Address/Data
STATUS REGISTER
READ
SR7 = 1
Complete Status
Check (optional)
WRITE Complete
3
2
NO
Start (WRITE completed)
YES
SR4 = 0
SR3 = 0
NO
YES
WRITE Error
5
WRITE Successful
V
PP
Error
4, 5
NOTE:
1. Sequence may be repeated for additional WRITEs.
2. Complete status check is not required.
3. Device will be in status register read mode. To return to the array read mode, the FFH command must be issued.
4. If SR3 is set during a WRITE or BLOCK ERASE attempt, CLEAR STATUS REGISTER (50H) should be issued before further
WRITE or ERASE operations are attempted.
5. Status register bits 3-5 must be cleared using CLEAR STATUS REGISTER.
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PDF描述
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MT28F128J3BS-12 ET TR 功能描述:IC FLASH 128MBIT 120NS 64FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤
MT28F128J3BS-12 MET 功能描述:IC FLASH 128MBIT 120NS 64FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
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