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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MT18VDVF6472DG-265XX |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 64M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184 |
| 封裝： | DIMM-184 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 14/38頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 713K |
| 代理商： | MT18VDVF6472DG-265XX |
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PDF: 09005aef81c73825/Source: 09005aef81c73837
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
DVF18C64_128x72D_2.fm - Rev. A 8/05 EN
21
2003, 2004, 2005 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
512MB, 1GB: (x72, DR) 184-Pin DDR VLP RDIMM
Electrical Specifications
ACTIVE to ACTIVE/AUTO REFRESH command
period
tRC
60
65
ns
AUTO REFRESH command period
tRFC
75
ns
ACTIVE to READ or WRITE delay
tRCD
15
20
ns
PRECHARGE command period
tRP
15
20
ns
DQS read preamble
tRPRE
0.9
1.1
0.9
1.1
0.9
1.1
tCK
DQS read postamble
tRPST
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
tCK
ACTIVE bank a to ACTIVE bank b
command
tRRD
12
15
ns
DQS write preamble
tWPRE
0.25
tCK
DQS write preamble setup time
tWPRES
0
ns
DQS write postamble
tWPST
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
tCK
Write recovery time
tWR
15
ns
Internal WRITE to READ command delay
tWTR
1
tCK
Data valid output window
na
tQH - tDQSQ
ns
REFRESH to REFRESH command interval
tREFC
70.3
s
Average periodic refresh interval
tREFI
15.6
7.8
s
Terminating voltage delay to VDD
tVTD
0
ns
Exit SELF REFRESH to non-READ command
tXSNR
75
ns
Exit SELF REFRESH to READ command
tXSRD
200
tCK
Table 14:
Electrical Characteristics and Recommended AC Operating Conditions (Continued)
DDR SDRAM components only
Notes: 1–5, 12–15, 29, 48; notes appear on pages 22–26; 0°C
≤ T
A ≤ +70°C; VDD = VDDQ = +2.5V ±0.2V
AC Characteristics
-335
-262
-26A/-265
Parameter
Symbol
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Units
Notes
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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