參數(shù)資料
型號(hào)： MMDF2C02E
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Dual Power MOSFET 2.5 Amps, 25 Volts(2.5A，25V，雙功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管（N溝道+P溝道）)
中文描述： 雙功率MOSFET2.5安培，25伏（包2.5a，25V的，雙功率馬鞍山場(chǎng)效應(yīng)管（不適用溝道P溝道））
文件頁(yè)數(shù)： 5/12頁(yè)
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代理商： MMDF2C02E
MMDF2C02E
http://onsemi.com
5
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
N–Channel
P–Channel
Figure 3. On–Resistance versus
Gate–to–Source Voltage
Figure 4. On–Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
Figure 5. On–Resistance Variation
with Temperature
Figure 3. On–Resistance versus
Gate–to–Source Voltage
Figure 4. On–Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
Figure 5. On–Resistance Variation with
Temperature
R
3
4
5
10
0.3
0.4
0.6
VGS, GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
0.2
6
8
0
0.1
9
7
0.5
ID = 1 A
TJ = 25
°
C
10 V
R
0.1
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
0.4
0.5
0.6
0.3
0.2
0
0.5
1
1.5
2
VGS = 4.5
TJ = 25
°
C
R
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
-50
0
50
100
150
0
0.5
1.0
1.5
2.0
VGS = 10 V
ID = 2 A
125
75
25
-25
R
0.4
0.5
0.6
0.3
0.1
0.2
0
2
3
4
5
8
6
7
9
10
VGS, GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
R
0
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
0.15
0
1
2
5
6
0.05
0.1
3
4
10 V
VGS = 4.5
TJ = 25
°
C
R
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
-50
0
50
100
150
0
0.5
1.0
1.5
2.0
VGS = 10 V
ID = 3.5 A
125
75
25
-25
ID = 3.5 A
TJ = 25
°
C
7
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PDF描述
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