參數(shù)資料
型號(hào)： MB8118165B-60
廠商： Fujitsu Limited
英文描述： CMOS 1M ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×16 位超級(jí)頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述： 的CMOS 100萬× 16位的超頁模式動(dòng)態(tài)RAM的CMOS（100萬× 16位超級(jí)頁面存取模式動(dòng)態(tài)內(nèi)存）
文件頁數(shù)： 7/28頁
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代理商： MB8118165B-60
7
MB8118165B-50/-60
I
DC CHARACTERISTICS
(At recommended operating conditions unless otherwise noted.)
Note 3
Parameter
Notes
Symbol
Conditions
Value
Unit
Min. Typ. Max.
Output High Voltage
*1
V
OH
I
OH
= –5.0 mA
2.4
—
—
V
Output Low Voltage
*1
V
OL
I
OL
= +4.2 mA
0 V
≤
V
IN
≤
V
CC
;
4.5 V
≤
V
CC
≤
5.5 V;
V
SS
= 0 V; All other pins
not under test = 0 V
0 V
≤
V
OUT
≤
V
CC
;
Data out disabled
—
—
0.4
Input Leakage Current (Any Input)
I
I(L)
–10
—
10
μ
A
Output Leakage Current
I
DQ(L)
–10
—
10
Operating Current
(Average Power
Supply Current)
*2
MB8118165B-50
I
CC1
RAS & LCAS, UCAS
cycling;
t
RC
= min
—
—
180
mA
MB8118165B-60
150
Standby Current
(Power Supply
Current)
TTL level
I
CC2
RAS = LCAS = UCAS =
V
IH
—
—
2.0
mA
CMOS level
RAS = LCAS = UCAS
≥
V
CC
–
0.2
1.0
Refresh Current #1
(Average Power
Supply Current)
*2
MB8118165B-50
I
CC3
LCAS = UCAS = V
IH
,
RAS cycling;
t
RC
= min
—
—
180
mA
MB8118165B-60
150
Hyper Page Mode
Current
*2
MB8118165B-50
I
CC4
RAS = V
IL
, LCAS = UCAS
cycling;
t
HPC
= min
—
—
110
mA
MB8118165B-60
100
Refresh Current #2
(Average Power
Supply Current)
*2
MB8118165B-50
I
CC5
RAS cycling;
CAS-before-RAS;
t
RC
= min
—
—
180
mA
MB8118165B-60
150
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PDF描述
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