參數(shù)資料
型號(hào)： MB8118165B-60
廠商： Fujitsu Limited
英文描述： CMOS 1M ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×16 位超級(jí)頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述： 的CMOS 100萬× 16位的超頁模式動(dòng)態(tài)RAM的CMOS（100萬× 16位超級(jí)頁面存取模式動(dòng)態(tài)內(nèi)存）
文件頁數(shù)： 20/28頁
文件大?。?/td> 651K
代理商： MB8118165B-60
20
MB8118165B-50/-60
VALID
DATA IN
VALID
DATA IN
COLUMN
ADDRESS
COL
ADD
ROW
ADDRESS
HIGH-Z
Fig. 13 – HYPER PAGE MODE DELAYED WRITE CYCLE
DQ
(Input)
DQ
(Output)
RAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
LCAS
or
UCAS
WE
A
0
to A
9
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
OE
t
RASP
t
CRP
t
ASR
t
CSH
t
RCD
t
ASC
t
CAH
t
AR
t
CAS
t
RAH
t
CAH
t
HPC
t
ASC
t
CWL
t
RSH
t
CAS
t
RP
t
CR
t
RCS
t
WCH
t
WCH
t
CWL
t
WP
t
RWL
t
WP
t
DS
t
DH
t
DZC
t
DS
t
DH
t
OED
t
ON
t
OEH
t
ON
t
OED
t
ON
t
ON
t
OEH
t
OEZ
t
OEZ
t
DZO
DESCRIPTION
The hyper page mode delayed write cycle is executed in the same manner as the hyper page mode early write cycle except for the
states of WE and OE. Input data on the DQ pins are latched on the falling edge of WE and written into memory. In the hyper page
mode delayed write cycle, OE must be changed from Low to High before WE goes Low (t
OED
+ t
T
+ t
DS
).
Invalid Data
“H” or “L” level (excluding Address and DQ)
“H” or “L” level, “H
→
L” or “L
→
H” transition (Address and DQ)
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