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參數(shù)資料
| 型號： | MB8118165B-60 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 1M ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×16 位超級頁面存取模式動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 的CMOS 100萬× 16位的超頁模式動態(tài)RAM的CMOS（100萬× 16位超級頁面存取模式動態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 12/28頁 |
| 文件大小： | 651K |
| 代理商： | MB8118165B-60 |
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12
MB8118165B-50/-60
t
RC
t
RAS
t
AR
t
RP
t
CDD
t
RCD
t
CRP
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
OEL
t
COL
t
RCH
t
RRH
t
RCS
t
DZC
t
OEA
t
DZO
t
ON
t
OED
t
OH
t
OFF
t
RAD
ROW ADD
COLUMN ADD
t
RAL
t
CAL
t
AA
t
CAC
t
RAC
HIGH-Z
HIGH-Z
t
OH
t
CSH
t
RSH
t
CAS
t
ON
t
RDD
t
WPZ
t
WED
t
WEZ
t
OEZ
Fig. 5 – READ CYCLE
DESCRIPTION
To implement a read operation, a valid address is latched in by the RAS and LCAS or UCAS address strobes and with WE set to a
High level and OE set to a low level, the output is valid once the memory access time has elapsed. DQ pins is valid when RAS and
CAS are High or until OE goes High. The access time is determined by RAS(t
RAC
), LCAS/UCAS(t
CAC
), OE (t
OEA
) or column addresses
(t
AA
) under the following conditions:
If t
RCD
> t
RCD
(max), access time = t
CAC
.
If t
RAD
> t
RAD
(max), access time = t
AA
.
If OE is brought Low after t
RAC
, t
CAC
, or t
AA
(whichever occurs later), access time = t
OEA
.
However, if either LCAS/UCAS or OE goes High, the output returns to a high-impedance state after t
OH
is satisfied.
RAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
LCAS
or
UCAS
WE
DQ
(Output)
A
0
to A
9
V
IH
V
IL
DQ
(Input)
V
IH
V
IL
OE
Valid Data
“H” or “L” level (excluding Address and DQ)
“H” or “L” level, “H
→
L” or “L
→
H” transition (Address and DQ)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MB814100A-60 | CMOS 4 M ×1 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 4M ×1 位快速頁面存取模式動態(tài)RAM) |
| MB814100A-70 | CMOS 4 M ×1 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 4M ×1 位快速頁面存取模式動態(tài)RAM) |
| MB814100A-80 | CMOS 4 M ×1 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 4M ×1 位快速頁面存取模式動態(tài)RAM) |
| MB814100C-60 | CMOS 4 M ×1 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 4 M ×1 位快速頁面存取模式動態(tài)RAM) |
| MB814100C-70 | CMOS 4 M ×1 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 4 M ×1位快速頁面存取模式動態(tài)RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MB812 | 功能描述:ACCY MOUNT BMM 3/4 58A RoHS:是 類別:RF/IF 和 RFID >> RF配件 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:* |
| MB812.833 | 功能描述:ACCY MOUNT BMM 3/4 58A RoHS:是 類別:RF/IF 和 RFID >> RF配件 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:* |
| MB-8120 | 制造商:Maxxtro 功能描述: |
| MB81256-10 | 制造商:FUJITSU 功能描述:256K X 1 PAGE MODE DRAM, 100 ns, CQCC18 |
| MB81256-10P | 制造商:FUGITSU 功能描述:Dynamic RAM, Page Mode, 256K x 1, 16 Pin, Plastic, DIP 制造商:Fuji Electric 功能描述:Dynamic RAM, Page Mode, 256K x 1, 16 Pin, Plastic, DIP 制造商:FUJITSU 功能描述:Dynamic RAM, Page Mode, 256K x 1, 16 Pin, Plastic, DIP |
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