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參數(shù)資料
| 型號： | MB8118165B-50 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 1M ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×16 位超級頁面存取模式動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 的CMOS 100萬× 16位的超頁模式動態(tài)RAM的CMOS（100萬× 16位超級頁面存取模式動態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 8/28頁 |
| 文件大小： | 651K |
| 代理商： | MB8118165B-50 |
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8
MB8118165B-50/-60
I
AC CHARACTERISTICS
(At recommended operating conditions unless otherwise noted.)
Notes 3, 4, 5
MB8118165B-60
Min.
—
104
138
—
—
—
3
5
0
—
(Continued)
No.
Parameter
Notes
Symbol
MB8118165B-50
Min.
—
84
114
—
—
—
3
5
0
—
Unit
Max.
16.4
—
—
50
15
25
—
—
—
13
Max.
16.4
—
—
60
15
30
—
—
—
15
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Time Between Refresh
Random Read/Write Cycle Time
Read-Modify-Write Cycle Time
Access Time from RAS
Access Time from CAS
Column Address Access Time
Output Hold Time
Output Hold Time from CAS
Output Buffer Turn On Delay Time
Output Buffer Turn Off Delay Time
Output Buffer Turn Off Delay Time
from RAS
Output Buffer Turn Off Delay Time
from WE
Transition Time
RAS Precharge Time
RAS Pulse Width
RAS Hold Time
CAS to RAS Precharge Time
RAS to CAS Delay Time
CAS Pulse Width
CAS Hold Time
CAS Precharge Time (Normal)
Row Address Set Up Time
Row Address Hold Time
Column Address Set Up Time
Column Address Hold Time
Column Address Hold Time from RAS
RAS to Column Address Delay Time
Column Address to RAS Lead Time
Column Address to CAS Lead Time
Read Command Set Up Time
Read Command Hold Time
Referenced to RAS
Read Command Hold Time
Referenced to CAS
Write Command Set Up Time
Write Command Hold Time
Write Hold Time from RAS
t
REF
t
RC
t
RWC
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
OH
t
OHC
t
ON
t
OFF
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
*6,9
*7,9
*8,9
*10
*10
11
t
OFR
—
13
—
15
ns
12
*10
t
WEZ
—
13
—
15
ns
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
t
T
t
RP
t
RAS
t
RSH
t
CRP
t
RCD
t
CAS
t
CSH
t
CPN
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
AR
t
RAD
t
RAL
t
CAL
t
RCS
1
50
—
1
50
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
30
50
13
5
11
7
38
7
0
7
0
7
18
9
25
18
0
40
60
15
5
14
10
40
10
0
10
0
10
24
12
30
23
0
100000
—
—
35
—
—
—
—
—
—
—
—
25
—
—
—
100000
—
—
45
—
—
—
—
—
—
—
—
30
—
—
—
*21
*11,12, 22
*19
*13
31
*14
t
RRH
0
—
0
—
ns
32
*14
t
RCH
0
—
0
—
ns
33
34
35
*15,20
t
WCS
t
WCH
t
WCR
0
7
—
—
—
0
10
24
—
—
—
ns
ns
ns
18
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MB8118165B-60 | CMOS 1M ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×16 位超級頁面存取模式動態(tài)RAM) |
| MB814100A-60 | CMOS 4 M ×1 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 4M ×1 位快速頁面存取模式動態(tài)RAM) |
| MB814100A-70 | CMOS 4 M ×1 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 4M ×1 位快速頁面存取模式動態(tài)RAM) |
| MB814100A-80 | CMOS 4 M ×1 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 4M ×1 位快速頁面存取模式動態(tài)RAM) |
| MB814100C-60 | CMOS 4 M ×1 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 4 M ×1 位快速頁面存取模式動態(tài)RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| MB812.833 | 功能描述:ACCY MOUNT BMM 3/4 58A RoHS:是 類別:RF/IF 和 RFID >> RF配件 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:* |
| MB-8120 | 制造商:Maxxtro 功能描述: |
| MB81256-10 | 制造商:FUJITSU 功能描述:256K X 1 PAGE MODE DRAM, 100 ns, CQCC18 |
| MB81256-10P | 制造商:FUGITSU 功能描述:Dynamic RAM, Page Mode, 256K x 1, 16 Pin, Plastic, DIP 制造商:Fuji Electric 功能描述:Dynamic RAM, Page Mode, 256K x 1, 16 Pin, Plastic, DIP 制造商:FUJITSU 功能描述:Dynamic RAM, Page Mode, 256K x 1, 16 Pin, Plastic, DIP |
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