參數(shù)資料
型號(hào)： MB8118165B-50
廠商： Fujitsu Limited
英文描述： CMOS 1M ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×16 位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述： 的CMOS 100萬(wàn)× 16位的超頁(yè)模式動(dòng)態(tài)RAM的CMOS（100萬(wàn)× 16位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)內(nèi)存）
文件頁(yè)數(shù)： 22/28頁(yè)
文件大小： 651K
代理商： MB8118165B-50
22
MB8118165B-50/-60
t
CAC
Fig. 15 – HYPER PAGE MODE READ-MODIFY-WRITE CYCLE
DQ
(Input)
DQ
(Output)
RAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
LCAS
or
UCAS
WE
A
0
to A
9
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
OE
VALID
VALID
COL
ADD
t
AWD
HIGH-Z
ROW
ADD
COL
ADD
t
HPRWC
t
CRP
t
RCD
t
CWD
t
RAD
t
RWL
t
CWD
t
RASP
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
CP
t
ASC
t
RCS
t
CWL
t
CPWD
t
CWL
t
RCS
t
WP
t
WP
t
DS
t
DS
t
RWD
t
RP
t
DH
t
DH
t
DZC
t
ON
t
OE
t
ON
t
ON
t
OED
t
AA
t
CAC
t
OEZ
t
OEH
t
RAC
t
OEA
t
CPA
t
ON
t
DZO
t
OED
t
AA
t
OEH
t
OEZ
DESCRIPTION
During the hyper page mode of operation, the read-modify-write cycle can be executed by switching WE from High to Low after
input data appears at the DQ pins during a normal cycle.
t
CAH
Valid Data
“H” or “L” level (excluding Address and DQ)
“H” or “L” level, “H
→
L” or “L
→
H” transition (Address and DQ)
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PDF描述
MB8118165B-60 CMOS 1M ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×16 位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
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