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參數(shù)資料
| 型號： | MB8118165B-50 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 1M ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×16 位超級頁面存取模式動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 的CMOS 100萬× 16位的超頁模式動態(tài)RAM的CMOS（100萬× 16位超級頁面存取模式動態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 11/28頁 |
| 文件大小： | 651K |
| 代理商： | MB8118165B-50 |
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11
MB8118165B-50/-60
I
FUNCTIONAL TRUTH TABLE
X:“H” or “L”
* :It is impossible in Hyper Page Mode.
Operation
Mode
Clock Input
Address Input
Input/Output Data
Refresh
Note
RAS
LCAS UCAS
WE
OE
Row Column
DQ
1
to DQ
8
DQ
9
to DQ
16
Input Output Input Output
Standby
H
H
H
X
X
—
—
—
High-Z
—
High-Z
—
Read Cycle
L
L
H
L
H
L
L
H
L
Valid
Valid
—
Valid
High-Z
Valid
—
High-Z
Valid
Valid
Yes*
t
RCS
≥
t
RCS
(min)
Write Cycle
(Early Write)
L
L
H
L
H
L
L
L
X
Valid
Valid
Valid
—
Valid
High-Z
—
Valid
Valid
High-Z
Yes*
t
WCS
≥
t
WCS
(min)
Read-Modify-
Write Cycle
L
L
H
L
H
L
L
H
→
L L
→
H
Valid
Valid
Valid
—
Valid
Valid
High-Z
Valid
—
Valid
Valid
High-Z
Valid
Valid
Yes*
RAS-only
Refresh Cycle
L
H
H
X
X
Valid
—
—
High-Z
—
High-Z
Yes
CAS-before-
RAS Refresh
Cycle
L
L
L
X
X
—
—
—
High-Z
—
High-Z
Yes
t
CSR
≥
t
CSR
(min)
Hidden
Refresh CycleH
→
L
L
H
L
H
L
L
H
→
X
L
—
—
—
Valid
High-Z
Valid
—
High-Z
Valid
Valid
Yes
Previous
data is kept
Fig. 2 – t
RAC
vs. t
RCD
60
50ns version
40
100
80
120
20
0
60
40
100
80
t
RAC
(ns)
t
RCD
(ns)
60
50
80
70
90
20
0
40
30
60
50
50ns version
t
RAC
(ns)
t
RAD
(ns)
40
60ns version
60
50
70
10
0
30
20
50
40
t
CPA
(ns)
t
CP
(ns)
60ns version
50ns version
30
10
Fig. 3 – t
RAC
vs. t
RAD
Fig. 4 – t
CPA
vs. t
CP
60ns version
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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