參數(shù)資料
型號： MB8117805B-50
廠商： Fujitsu Limited
英文描述： CMOS 2M ×8 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 2M ×8 位超級頁面存取模式動態(tài)RAM)
中文描述： 的CMOS 200萬× 8位超頁模式動態(tài)RAM的CMOS（200萬× 8位超級頁面存取模式動態(tài)內(nèi)存）
文件頁數(shù)： 7/29頁
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代理商： MB8117805B-50
7
MB8117805B-50/-60
I
DC CHARACTERISTICS
(At recommended operating conditions unless otherwise noted.) Note 3
Parameter
Notes
Symbol
Condition
Value
Unit
Min. Typ. Max.
2.4
—
—
—
Output High Voltage
Output Low Voltage
*1
*1
V
OH
V
OL
I
OH
= –5.0 mA
I
OL
= +4.2 mA
0 V
≤
V
IN
≤
V
CC
;
4.5 V
≤
V
CC
≤
5.5 V;
V
SS
= 0 V; All other pins
not under test = 0 V
0 V
≤
V
OUT
≤
V
CC
;
Data out disabled
—
0.4
V
Input Leakage Current (Any Input)
I
I(L)
–10
—
10
μ
A
Output Leakage Current
I
DO(L)
–10
—
10
Operating Current
(Average Power
Supply Current)
*2
MB8117805B-50
I
CC1
RAS & CAS cycling;
t
RC
= min
—
—
mA
MB8117805B-60
Standby Current
(Power Supply
Current)
TTL Level
I
CC2
RAS = CAS = V
IH
—
—
mA
CMOS Level
RAS = CAS
≥
V
CC
–0.2 V
Refresh Current #1
(Average Power
Supply Current)
*2
MB8117805B-50
I
CC3
CAS = V
IH
, RAS cycling;
t
RC
= min
—
—
mA
MB8117805B-60
Hyper Page Mode
Current
*2
MB8117805B-50
I
CC4
RAS = V
IL,
CAS cycling;
t
HPC
= min
—
—
mA
MB8117805B-60
Refresh Current #2
(Average Power
Supply Current)
*2
MB8117805B-50
I
CC5
RAS cycling;
CAS-before-RAS;
t
RC
= min
—
—
mA
MB8117805B-60
130
110
2.0
1.0
130
110
100
90
130
110
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PDF描述
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