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參數(shù)資料
| 型號： | MB8117805B-50 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 2M ×8 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 2M ×8 位超級頁面存取模式動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 的CMOS 200萬× 8位超頁模式動態(tài)RAM的CMOS（200萬× 8位超級頁面存取模式動態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 14/29頁 |
| 文件大?。?/td> | 574K |
| 代理商： | MB8117805B-50 |
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14
MB8117805B-50/-60
CAS
DESCRIPTION
A write cycle is similar to a read cycle except WE is set to a Low state and OE is a “H” or “L” signal. A write cycle can be
implemented in either of three ways – early write, delayed write, or read-modify-write. During all write cycles, timing
parameters t
RWL
, t
CWL
, t
RAL
and t
CAL
must be satisfied. In the early write cycle shown above t
WCS
satisfied, data on the DQ
pins are latched with the falling edge of CAS and written into memory.
Fig. 6 – EARLY WRITE CYCLE
RAS
A
0
to A
10
WE
DQ
(Input)
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
DQ
(Output)
t
RC
t
RAS
t
RP
t
CSH
t
RCD
t
CRP
t
CAS
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
WCR
t
WCS
t
WCH
t
DH
t
DS
t
RSH
t
AR
t
DHR
HIGH-Z
ROW ADD
COLUMN ADD
VALID DATA IN
“H” or “L” level (excluding Address and DQ)
“H” or “L” level, “H”
→
“L” or “L”
→
“H” transition
(Address and DQ)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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