參數(shù)資料
型號： MB8117805B-50
廠商： Fujitsu Limited
英文描述： CMOS 2M ×8 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 2M ×8 位超級頁面存取模式動態(tài)RAM)
中文描述： 的CMOS 200萬× 8位超頁模式動態(tài)RAM的CMOS（200萬× 8位超級頁面存取模式動態(tài)內存）
文件頁數(shù)： 18/29頁
文件大?。?/td> 574K
代理商： MB8117805B-50
18
MB8117805B-50/-60
t
OEA
t
RRH
t
RCD
t
RAD
t
ASC
t
CAS
t
CRP
Fig. 10 – HYPER PAGE MODE READ CYCLE (OE = “H” or “L”)
DESCRIPTION
The hyper page mode of operation permits faster successive memory operations at multiple column locations of the same row
address. This operation is performed by strobing in the row address and maintaining RAS at a Low level and WE at a High level
during all successive memory cycles in which the row address is latched. The address time is determined by t
CAC
, t
AA
, t
CPA
, or
t
OEA
, whichever one is the latest in occurring.
During one cycle is achieved, the input/output timing apply the same manner as the former cycle.
t
RASP
t
RCS
t
RHCP
t
RP
ROW
ADD
COL
ADD
t
CAS
t
RSH
t
HPC
t
CAS
t
CP
t
DZC
t
CAH
t
CAH
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
ASC
t
RCH
t
CAC
t
AA
COL
ADD
t
CSH
t
RAL
HIGH-Z
t
OFR
t
OFF
t
OH
t
OEZ
t
OED
t
RDD
t
OH
t
OH
t
AA
t
CPA
t
CAC
t
AA
t
ON
t
OEA
t
OEP
t
COL
t
OEA
t
OH
t
OECH
t
OEZ
t
OH
t
OEZ
t
DZO
t
ON
t
RAC
t
CP
t
CAL
t
CDD
t
CAC
t
CPA
t
OHC
CAS
V
IH
V
IL
RAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
A
0
to A
10
WE
DQ
(Input)
V
OH
V
OL
DQ
(Output)
V
IH
V
IL
OE
COL
ADD
t
ASR
HIGH-Z
HIGH-Z
Valid Data
“H” or “L” level (excluding Address and DQ)
“H” or “L” level, “H”
→
“L” or “L”
→
“H” transition
(Address and DQ)
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