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參數(shù)資料
| 型號： | M30L0R7000T0ZAQE |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | AB 35C 7#12,28#16 PIN RECP |
| 中文描述： | 128兆位（8兆x16插槽，多銀行，多層次，多突發(fā)），1.8V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 63/83頁 |
| 文件大小： | 1329K |
| 代理商： | M30L0R7000T0ZAQE |
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63/83
M30L0R7000T0, M30L0R7000B0
Table 34. Device Geometry Definition
Offset Word
Mode
Data
Description
Value
027h
0018h
Device Size = 2
n
in number of bytes
16 MBytes
028h
029h
0001h
0000h
Flash Device Interface Code description
x16
Async.
02Ah
02Bh
0006h
0000h
Maximum number of bytes in multi-byte program or page = 2
n
64 Bytes
02Ch
0002h
Number of identical sized erase block regions within the device
bit 7 to 0 = x = number of Erase Block Regions
2
M
02Dh
02Eh
007Eh
0000h
Region 1 Information
Number of identical-size erase blocks = 007Eh+1
127
02Fh
030h
0000h
0002h
Region 1 Information
Block size in Region 1 = 0200h * 256 Byte
128 KByte
031h
032h
0003h
0000h
Region 2 Information
Number of identical-size erase blocks = 0003h+1
4
033h
034h
0080h
0000h
Region 2 Information
Block size in Region 2 = 0080h * 256 Byte
32 KByte
035h
038h
Reserved
Reserved for future erase block region information
NA
M
02Dh
02Eh
0003h
0000h
Region 1 Information
Number of identical-size erase block = 0003h+1
4
02Fh
030h
0080h
0000h
Region 1 Information
Block size in Region 1 = 0080h * 256 bytes
32 KBytes
031h
032h
007Eh
0000h
Region 2 Information
Number of identical-size erase block = 007Eh+1
127
033h
034h
0000h
0002h
Region 2 Information
Block size in Region 2 = 0200h * 256 bytes
128 KBytes
035h
038h
Reserved
Reserved for future erase block region information
NA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M30L0R7000T0ZAQF | CAP 0.1UF 50V 10% X7R DIP-2 BULK R-MIL-C-39014 |
| M30L0R7000T0ZAQT | CAP 0.22UF 50V 20% X7R DIP-2 BULK R-MIL-C-39014 |
| M30L0R7000B0ZAQT | CAP 0.047UF 100V 20% X7R DIP-2 BULK R-MIL-C-39014 |
| M30L0R8000T0ZAQ | 256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M30L0R8000T0ZAQF | 256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M30L0R7000T0ZAQF | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst), 1.8V Supply Flash Memory |
| M30L0R7000T0ZAQT | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst), 1.8V Supply Flash Memory |
| M30L0R7000XX | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst), 1.8V Supply Flash Memory |
| M30L0R8000B0 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M30L0R8000B0ZAQ | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
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