參數(shù)資料
型號(hào)： M30L0R7000T0ZAQE
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： AB 35C 7#12,28#16 PIN RECP
中文描述： 128兆位（8兆x16插槽，多銀行，多層次，多突發(fā)），1.8V電源快閃記憶體
文件頁(yè)數(shù)： 20/83頁(yè)
文件大?。?/td> 1329K
代理商： M30L0R7000T0ZAQE
M30L0R7000T0, M30L0R7000B0
20/83
Figure 5. Protection Register Memory Map
AI07563
User Programmable OTP
Unique device number
Protection Register Lock
1 0
88h
85h
84h
81h
80h
User Programmable OTP
PROTECTION REGISTERS
User Programmable OTP
Protection Register Lock
1 0
4 3 2
9
7
5
13 12
10
11
8
6
14
15
PR1
PR16
PR0
89h
8Ah
91h
102h
109h
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M30L0R7000T0ZAQF CAP 0.1UF 50V 10% X7R DIP-2 BULK R-MIL-C-39014
M30L0R7000T0ZAQT CAP 0.22UF 50V 20% X7R DIP-2 BULK R-MIL-C-39014
M30L0R7000B0ZAQT CAP 0.047UF 100V 20% X7R DIP-2 BULK R-MIL-C-39014
M30L0R8000T0ZAQ 256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory
M30L0R8000T0ZAQF 256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M30L0R7000T0ZAQF 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst), 1.8V Supply Flash Memory
M30L0R7000T0ZAQT 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst), 1.8V Supply Flash Memory
M30L0R7000XX 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst), 1.8V Supply Flash Memory
M30L0R8000B0 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory
M30L0R8000B0ZAQ 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory
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