參數(shù)資料
型號： M28W800B100N1T
廠商： NUMONYX
元件分類： PROM
英文描述： 512K X 16 FLASH 3V PROM, 100 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
文件頁數(shù)： 9/40頁
文件大?。?/td> 284K
代理商： M28W800B100N1T
17/40
M28W800T, M28W800B
Table 18A. DC Characteristics
(TA = 0 to 70°C or –40 to 85°C)
Note: 1. Current increases to ICC + ICC5 during a Read operation.
Symbol
Parameter
Test Condition
VDD = 2.7V to 3.6V
VDDQ = 2.7V to 3.6V
Unit
Min
Max
ILI
Input Leakage Current
0V
≤ VIN ≤ VDD
±1
A
ILO
Output Leakage Current
0V
≤ VOUT ≤VDD
±10
A
ICC
Supply Current (Read)
E = VSS, G = VIH, f = 5MHz
20
mA
ICC1
Supply Current (Standby or
Automatic Standby)
E = VDD ± 0.2V,
RP = VDD ± 0.2V
10
A
ICC2
Supply Current (Power Down)
RP = VSS ± 0.2V
10
A
ICC3
Supply Current (Program)
Program in progress
VPP = 12V ± 5%
20
mA
Program in progress
VPP = VDD
20
mA
ICC4
Supply Current (Erase)
Erase in progress
VPP = 12V ± 5%
20
mA
Erase in progress
VPP = VDD
20
mA
ICC5
Supply Current
(Program/Erase Suspend)
E = VIH, Erase suspended
10
A
IPP
Program Current (Read or Standby)
VPP > VDD
200
A
IPP1
Program Current (Read or Standby)
VPP ≤ VDD
±15
A
IPP2
Program Current (Power Down)
RP = VSS ± 0.2V
5A
IPP3
Program Current (Program)
Program in progress
VPP = 12V ± 5%
15
mA
Program in progress
VPP = VDD
20
mA
IPP4
Program Current (Erase)
Erase in progress
VPP = 12V ± 5%
15
mA
Erase in progress
VPP = VDD
20
mA
IPP5
(1)
Program Current
(Program/Erase Suspend)
Program/Erase suspended
200
A
VIL
Input Low Voltage
–0.4
0.4
V
VIH
Input High Voltage
VDDQ –0.4
V
VOL
Output Low Voltage
IOL = 100A, VDD = VDD min,
VDDQ = VDDQ min
0.1
V
VOH
Output High Voltage
IOH = –100A, VDD = VDD min,
VDDQ = VDDQ min
VDDQ –0.1
V
VPP1
Program Voltage
(Program or Erase operations)
2.7
3.6
V
VPPH
Program Voltage
(Program or Erase operations)
11.4
12.6
V
VLKO
VDD Supply Voltage (Program and
Erase lock-out)
2.2
V
VLKO2
VDDQ Supply Voltage (Program and
Erase lock-out)
1.5
V
VPPLK
Program Voltage lock-out
1.5
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M293 EPM 32 ELECTRONIC PROGRAM MEMORY FOR 32 STATIONS
M29DW324DT90ZA6F 2M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA63
M29DW640F70N6F 4M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48
M29F002BB120K1 2 Mbit 256Kb x8, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F016D90M6F 2M X 8 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO44
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M28W800BB90N1 功能描述:閃存 8M (512Kx16) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M28W800BB90ZB6T 功能描述:閃存 8M (512Kx16) 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M28W800BT100N6T 功能描述:閃存 8M (512Kx16) 100ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M28W800BT90N6 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 8MBIT 512KX16 90NS 48TSOP - Trays
M28W800CB90N1 功能描述:閃存 8M (512Kx16) 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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