• 參數(shù)資料
    型號(hào)： M28W800B100N1T
    廠商： NUMONYX
    元件分類： PROM
    英文描述： 512K X 16 FLASH 3V PROM, 100 ns, PDSO48
    封裝： 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
    文件頁數(shù)： 13/40頁
    文件大?。?/td> 284K
    代理商： M28W800B100N1T
    M28W800T, M28W800B
    20/40
    Table 21A. Read AC Characteristics (1)
    (TA = 0 to 70°C or –40 to 85°C)
    Note: 1. See AC Testing Measurement conditions for timing measurements.
    2. Sampled only, not 100% tested.
    3. G may be delayed by up to tELQV - tGLQV after the falling edge of E without increasing tELQV.
    4. The device Reset is possible but not guaranteed if tPLPH < 100ns.
    Symbol
    Alt
    Parameter
    M28W800
    Unit
    100
    120
    VDD = 3V to 3.6V
    VDDQ = 2.7V min
    VDD = 2.7V to 3.3V
    VDDQ = 1.65V min
    Min
    Max
    Min
    Max
    tAVAV
    tRC
    Address Valid to Next Address Valid
    100
    120
    ns
    tAVQV
    tACC
    Address Valid to Output Valid
    100
    120
    ns
    tPHQV
    tPWH
    Power Down High to Output Valid
    200
    ns
    tELQX
    (2)
    tLZ
    Chip Enable Low to Output Transition
    0
    ns
    tELQV
    (3)
    tCE
    Chip Enable Low to Output Valid
    100
    120
    ns
    tGLQX
    (2)
    tOLZ
    Output Enable Low to Output Transition
    0
    ns
    tGLQV
    (3)
    tOE
    Output Enable Low to Output Valid
    30
    35
    ns
    tEHQX
    (2)
    tOH
    Chip Enable High to Output Transition
    0
    ns
    tEHQZ
    (2)
    tHZ
    Chip Enable High to Output Hi-Z
    25
    30
    ns
    tGHQX
    (2)
    tOH
    Output Enable High to Output Transition
    0
    ns
    tGHQZ
    (2)
    tDF
    Output Enable High to Output Hi-Z
    25
    30
    ns
    tAXQX
    (2)
    tOH
    Address Transition to Output Transition
    0
    ns
    tPLPH
    (2,4)
    tRP
    RP Reset Pulse Width
    100
    ns
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    PDF描述
    M293 EPM 32 ELECTRONIC PROGRAM MEMORY FOR 32 STATIONS
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    M29DW640F70N6F 4M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48
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    參數(shù)描述
    M28W800BB90N1 功能描述:閃存 8M (512Kx16) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
    M28W800BB90ZB6T 功能描述:閃存 8M (512Kx16) 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
    M28W800BT100N6T 功能描述:閃存 8M (512Kx16) 100ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
    M28W800BT90N6 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 8MBIT 512KX16 90NS 48TSOP - Trays
    M28W800CB90N1 功能描述:閃存 8M (512Kx16) 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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