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參數資料
| 型號： | M28W800B100N1T |
| 廠商： | NUMONYX |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 512K X 16 FLASH 3V PROM, 100 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件頁數： | 40/40頁 |
| 文件大?。?/td> | 284K |
| 代理商： | M28W800B100N1T |
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M28W800T, M28W800B
Table 9. Memory Blocks Protection Truth Table
Note: 1. Notes:1.X’ = Don’t Care
2. RP is the Reset/Power Down.
3. VPP is the program or erase supply voltage.
4. VIH/VIL are logic high and low levels.
5. VPP must be also greater than the Program Voltage Lock-Out VPPLK.
Table 10. Status Register Bits
Note: Logic level ’1’ is High, ’0’ is Low.
VPP
(1,3)
RP (2,4)
WP (1,4)
Lockable Blocks
Other Blocks
X
VIL
X
Protected
VIL
VIH
X
Protected
VDD or VPPH
(5)
VIH
VIL
Protected
Unprotected
VDD or VPPH
(5)
VIH
Unprotected
Mnemonic
Bit
Name
Logic
Level
Definition
Note
P/ECS
7
P/E.C. Status
’1’
Ready
Indicates the P/E.C. status, check during
Program or Erase, and on completion before
checking bits b4 or b5 for Program or Erase
Success
’0’
Busy
ESS
6
Erase
Suspend
Status
’1’
Suspended
On an Erase Suspend instruction P/ECS and
ESS bits are set to ’1’. ESS bit remains ’1’ until an
Erase Resume instruction is given.
’0’
In progress or
Completed
ES
5
Erase Status
’1’
Erase Error
ES bit is set to ’1’ if P/E.C. has applied the
maximum number of erase pulses to the block
without achieving an erase verify.
’0’
Erase Success
PS
4
Program
Status
’1’
Program Error
PS bit set to ’1’ if the P/E.C. has failed to program
a word.
’0’
Program Success
VPPS
3
VPP Status
’1’
VPP Invalid, Abort
VPPS bit is set if the VPP voltage is not VPPH nor
VDD when a Program or Erase instruction is
executed.
’0’
VPP OK
PSS
2
Program
Suspend
Status
’1’
Suspended
On a Program Suspend instruction P/ECS and
PSS bits are set to ’1’. PSS remains ’1’ until a
Program Resume Instruction is given
’0’
In Progress or
Completed
BPS
1
Block
Protection
Status
’1’
Program/Erase on
protected Block,
Abort
BPS bit is set to ’1’ if a Program or Erase
operation has been attempted on a protected
block
’0’
No operation to
protected blocks
0
Reserved
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M293 | EPM 32 ELECTRONIC PROGRAM MEMORY FOR 32 STATIONS |
| M29DW324DT90ZA6F | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA63 |
| M29DW640F70N6F | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| M29F002BB120K1 | 2 Mbit 256Kb x8, Boot Block Single Supply Flash Memory |
| M29F016D90M6F | 2M X 8 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO44 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| M28W800BB90N1 | 功能描述:閃存 8M (512Kx16) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M28W800BB90ZB6T | 功能描述:閃存 8M (512Kx16) 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M28W800BT100N6T | 功能描述:閃存 8M (512Kx16) 100ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M28W800BT90N6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 8MBIT 512KX16 90NS 48TSOP - Trays |
| M28W800CB90N1 | 功能描述:閃存 8M (512Kx16) 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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