參數(shù)資料
型號(hào)： M12L2561616A
廠商： Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
英文描述： 4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
中文描述： 4米× 16位× 4個(gè)銀行同步DRAM
文件頁(yè)數(shù)： 9/44頁(yè)
文件大?。?/td> 908K
代理商： M12L2561616A
ES MT
M12L2561616A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Revision
:
1.2
Publication Date
:
Aug. 2007
9/44
BURST SEQUENCE (BURST LENGTH = 4)
Initial Adrress
A1
A0
Sequential
Interleave
0
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BURST SEQUENCE (BURST LENGTH = 8)
Initial
A2
A1
A0
Sequential
Interleave
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PDF描述
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