參數(shù)資料
型號： M12L2561616A
廠商： Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
英文描述： 4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
中文描述： 4米× 16位× 4個(gè)銀行同步DRAM
文件頁數(shù)： 39/44頁
文件大?。?/td> 908K
代理商： M12L2561616A
ES MT
M12L2561616A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Revision
:
1.2
Publication Date
:
Aug. 2007
39/44
Active/Precharge Power Down Mode @ CAS Latency = 2, Burst Length = 4
1
2
3
4
5
6
0
C L O C K
C K E
C S
R A S
C A S
A D D R
W E
DQ
DQM
A10/AP
BA0
BA1
RAa
CAa
CAb
RAa
DAa0 DAa1
DAb1
DAb0
DAb2
Row Active
(A-Bank)
W rite
(A-Bank)
Burst Stop
W rit e
(A-Bank)
:Don't Care
HIGH
DAa2 DAa3 DAa4
DAb3 DAb4 DAb5
Precharge
(A-Bank)
t
B D L
t
R D L
*No te 1
9
10
7
8
11
12
13
14
17
15
18
16
19
*Note: 1. Both banks should be in idle state prior to entering precharge power down mode.
2. CKE should be set high at least 1CLK + t
SS
prior to Row active command.
3. Can not violate minimum refresh specification.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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