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參數(shù)資料
| 型號： | M12L2561616A |
| 廠商： | Elite Semiconductor Memory Technology Inc. |
| 英文描述： | 4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4米× 16位× 4個銀行同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 20/44頁 |
| 文件大?。?/td> | 908K |
| 代理商： | M12L2561616A |
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ES MT
6. Precharge
M12L2561616A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Revision
:
1.2
Publication Date
:
Aug. 2007
20/44
.
7. Auto Precharge
*Note
:
1. t
RDL
: Last data in to row precharge delay.
2. Number of valid output data after row precharge : 1,2 for CAS Latency = 2,3 respectively.
3. The row active command of the precharge bank can be issued after t
RP
from this point.
The new read/write command of other activated bank can be issued from this point.
At burst read/write with auto precharge, CAS interrupt of the same/another bank is illegal.
CLK
C M D
DQ
D0
D1
D2
D3
W R
t
RD L
* Not e 1
CLK
C M D
C M D
DQ( CL2)
Q0
Q1
Q2
Q3
R D
PRE
DQ(CL3)
Q0
Q1
Q2
Q3
PRE
1) N o r m a l W r i t e ( B L = 4 )
2) No r m al R ea d ( B L= 4 )
CL= 2
PRE CL= 3
*Not e 2
*Not e 2
CLK
C M D
DQ
D0
D1
D2
D3
W R
CLK
C M D
DQ(CL2)
D0
D1
D2
D3
R D
DQ(CL3)
* N o t e 3
Auto Precharge starts
D0
D1
D2
D3
* N o t e 3
Auto Precharge starts
1) N o r m a l W r i t e ( B L = 4 )
2) No r m al R ea d ( B L= 4 )
t
R DL ( m i n )
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M12L2561616A-6BG | 4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L2561616A-6TG | 4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L2561616A-7BG | 4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L2561616A-7TG | 4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L32162A | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M12L2561616A_08 | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
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