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參數(shù)資料
| 型號： | M12L2561616A |
| 廠商： | Elite Semiconductor Memory Technology Inc. |
| 英文描述： | 4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4米× 16位× 4個銀行同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 18/44頁 |
| 文件大?。?/td> | 908K |
| 代理商： | M12L2561616A |
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ES MT
4.
CAS
Interrupt (II) : Read Interrupted by Write & DQM
M12L2561616A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Revision
:
1.2
Publication Date
:
Aug. 2007
18/44
CLK
i ) C M D
DQ M
DQ
D1
D3
D0
D2
W R
i i ) C M D
DQ M
DQ
i i i ) C M D
DQ M
DQ
i v) C M D
DQ M
DQ
D1
D3
D0
D2
R D
W R
R D
W R
D1
D3
D0
D2
D1
D3
D0
D2
R D
W R
H i - Z
Q0
*Not e 1
H i - Z
H i - Z
(a) CL=2,BL= 4
R D
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M12L2561616A-6BG | 4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L2561616A-6TG | 4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L2561616A-7BG | 4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L2561616A-7TG | 4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L32162A | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M12L2561616A_08 | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L2561616A_1 | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L2561616A2K | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:JEDEC standard 3.3V power supply |
| M12L2561616A-5BG2K | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:JEDEC standard 3.3V power supply |
| M12L2561616A-5TG2K | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:JEDEC standard 3.3V power supply |
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