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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M12L128324A-6BG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PBGA90 |
| 封裝： | 13 X 8 MM, LEAD FREE, FBGA-90 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 9/47頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 794K |
| 代理商： | M12L128324A-6BG |
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ES MT
M12L128324A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date: Mar. 2006
Revision
:
1.2
9/47
FREQUENCY vs. AC PARAMETER RELATIONSHIP TABLE
M12L128324A-6T(G)
(Unit : number of clock)
t
RC
t
RAS
t
RP
t
RRD
t
RCD
t
CCD
t
CDL
t
RDL
Frequency
CAS
Latency
60ns
42ns
18ns
12ns
18ns
6ns
6ns
12ns
166 MHZ(6.0ns )
3
10
7
3
2
3
1
1
2
143 MHZ(7.0ns )
3
9
6
3
2
3
1
1
2
125 MHZ(8.0ns )
2
9
6
3
2
3
1
1
2
100 MHZ(10.0ns )
2
7
5
2
2
2
1
1
1
83 MHZ(12.0ns )
2
6
4
2
1
2
1
1
1
M12L128324A-7T(G)
(Unit : number of clock)
t
RC
t
RAS
t
RP
t
RRD
t
RCD
t
CCD
t
CDL
t
RDL
Frequency
CAS
Latency
63ns
42ns
20ns
14ns
18ns
7ns
7ns
14ns
143 MHZ(7.0ns )
3
9
6
3
2
3
1
1
2
125 MHZ(8.0ns )
3
9
6
3
2
3
1
1
2
100 MHZ(10.0ns )
2
7
5
2
2
2
1
1
1
83 MHZ(12.0ns )
2
6
4
2
2
2
1
1
1
75 MHZ(13.4ns )
2
6
4
2
2
2
1
1
1
M12L128324A-6B(G)
(Unit : number of clock)
t
RC
t
RAS
t
RP
t
RRD
t
RCD
t
CCD
t
CDL
t
RDL
Frequency
CAS
Latency
60ns
42ns
18ns
12ns
18ns
6ns
6ns
12ns
166 MHZ(6.0ns )
3
10
7
3
2
3
1
1
2
143 MHZ(7.0ns )
3
9
6
3
2
3
1
1
2
125 MHZ(8.0ns )
2
9
6
3
2
3
1
1
2
100 MHZ(10.0ns )
2
7
5
2
2
2
1
1
1
83 MHZ(12.0ns )
2
6
4
2
1
2
1
1
1
M12L128324A-7B(G)
(Unit : number of clock)
t
RC
t
RAS
t
RP
t
RRD
t
RCD
t
CCD
t
CDL
t
RDL
Frequency
CAS
Latency
63ns
42ns
20ns
14ns
18ns
7ns
7ns
14ns
143 MHZ(7.0ns )
3
9
6
3
2
3
1
1
2
125 MHZ(8.0ns )
3
9
6
3
2
3
1
1
2
100 MHZ(10.0ns )
2
7
5
2
2
2
1
1
1
83 MHZ(12.0ns )
2
6
4
2
2
2
1
1
1
75 MHZ(13.4ns )
2
6
4
2
2
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