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參數(shù)資料
| 型號： | M12L128324A-6BG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PBGA90 |
| 封裝： | 13 X 8 MM, LEAD FREE, FBGA-90 |
| 文件頁數(shù)： | 20/47頁 |
| 文件大?。?/td> | 794K |
| 代理商： | M12L128324A-6BG |
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ES MT
M12L128324A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date: Mar. 2006
Revision
:
1.2
20/47
3.
CAS
Interrupt (I)
*Note : 1. By “interrupt” is meant to stop burst read/write by external before the end of burst.
By ” CAS interrupt ”, to stop burst read/write by CAS access ; read and write.
2. t
CCD
:CAS to CAS delay. (=1CLK)
3. t
CDL
: Last data in to new column address delay. (=1CLK)
CLK
C M D
AD D
DQ( CL2)
DQ(CL3)
R D
QB0
QB2
QA0
CLK
C M D
AD D
DQ
W R
DA0
DB0
DB1
R D
A
B
QB1
QB3
QB0
QB2
QA0
QB3
QB1
t
CC D
*N ot e 2
W R
t
C CD *N o t e 2
A
B
t
CD L
*N ot e 3
W R
R D
t
C CD *N o t e 2
A
B
DA0
DQ0
DQ1
t
CD L
*N ot e 3
DA0
DQ0
DQ1
DQ( CL3)
DQ( CL2)
1) R ea d in t er ru p t ed b y R ead ( B L = 4 )
2) W r it e in t e r r u p t ed b y W r it e (B L = 2 )
3) W r i t e i n t e rr u p t ed b y R e ad ( B L= 2 )
*Not e 1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M12L128324A-6TG | 1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L16161A-5TG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12L16161A-7BG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12L16161A-7TG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12L2561616A | 4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M12L128324A-6BG2E | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:JEDEC standard 3.3V power supply |
| M12L128324A-6BIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128324A-6TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128324A-6TIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128324A-7BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
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