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參數(shù)資料
| 型號： | M12L128324A-6BG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PBGA90 |
| 封裝： | 13 X 8 MM, LEAD FREE, FBGA-90 |
| 文件頁數(shù)： | 36/47頁 |
| 文件大?。?/td> | 794K |
| 代理商： | M12L128324A-6BG |
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ES MT
M12L128324A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date: Mar. 2006
Revision
:
1.2
36/47
Page Write Cycle at Different Bank @ Burst Length = 4
*Note : 1. To interrupt burst write by Row precharge , DQM should be asserted to mask invalid input data.
2. To interrupt burst write by Row precharge , both the write and the precharge banks must be the same.
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
C L O C K
C K E
C S
R A S
C A S
A D D R
W E
DQ
DQ M
A10/AP
BA1
BA0
: D o n ' t c a r e
*Not e 1
RAa
RBb
CAa
CBb
RD d
C C c
R C c
CD d
*Not e 2
DAa1
DAa0
DBb0 DBb1
DBb3
DDd0 DDd1
DAa2
DBb2
DCc0 DCc1
RAa
RBb
R C c
RD d
DAa3
CDd2
t
CD L
R o w A c t i v e
( A - Bank )
R o w A c t i v e
( B - B a n k )
W r i t e
( A - B a n k )
W r i t e
( B - B a n k )
R o w A c t i v e
( C - B a n k )
W r i t e
( C - B a n k )
P r e c h a r g e
( A l l B a n k s )
R o w A c t i v e
( D - B a n k )
W r i t e
( D - B a n k )
HIGH
t
RD L
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M12L128324A-6TG | 1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L16161A-5TG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12L16161A-7BG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12L16161A-7TG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12L2561616A | 4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M12L128324A-6BG2E | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:JEDEC standard 3.3V power supply |
| M12L128324A-6BIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128324A-6TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128324A-6TIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128324A-7BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
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