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參數(shù)資料
| 型號： | M12L128324A-6BG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PBGA90 |
| 封裝： | 13 X 8 MM, LEAD FREE, FBGA-90 |
| 文件頁數(shù)： | 35/47頁 |
| 文件大小： | 794K |
| 代理商： | M12L128324A-6BG |
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ES MT
M12L128324A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date: Mar. 2006
Revision
:
1.2
35/47
Page Read Cycle at Different Bank @ Burst Length = 4
Note: 1. CS can be don’t cared when RAS , CAS and
WE
are high at the clock high going edge.
2. To interrupt a burst read by row precharge, both the read and the precharge banks must be the same.
R o w A c t i v e
( A - B a n k )
R o w A c t i v e
( B - B a n k )
R e a d
( A - B a n k )
R o w A c t i v e
( C - B a n k )
R e a d
( B - B a n k )
P r e c h a r g e
( A - B a n k )
R o w A c t i v e
( D - B a n k )
R e a d
( C - B a n k )
P r e c h a r g e
( B - B a n k )
R e a d
( D - B a n k )
P r e c h a r g e
( C - B a n k )
P r e c h a r g e
( D - B a n k )
: D o n ' t C a r e
0 1 2 3
4 5 6
7
8
9
10
11
12
13
14 15 16 17
18
19
C L O C K
C K E
C S
R A S
C A S
A D D R
W E
CL=2
DQ M
A10/AP
BA1
BA0
CL=3
R B b
C A a
R C c
C B b
R D d
C C c
C D d
*Not e 1
*Not e 2
R A a
RDd
QBb0
QBb2 QCc0 QCc1
QCc2 QDd0
QDd1
QDd2
QAa1
QAa0
QAa2
QBb1
QAa0
QAa1 QAa2 QBb0
QCc1
QCc2 QDd0
QDd2
QDd1
QBb1
QCc0
QBb2
R A a
R B b
R C c
HIGH
DQ
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M12L128324A-6TG | 1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L16161A-5TG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12L16161A-7BG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12L16161A-7TG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12L2561616A | 4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M12L128324A-6BG2E | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:JEDEC standard 3.3V power supply |
| M12L128324A-6BIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128324A-6TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128324A-6TIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128324A-7BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
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