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參數(shù)資料
| 型號： | M12L128324A-6BG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PBGA90 |
| 封裝： | 13 X 8 MM, LEAD FREE, FBGA-90 |
| 文件頁數(shù)： | 37/47頁 |
| 文件大?。?/td> | 794K |
| 代理商： | M12L128324A-6BG |
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ES MT
M12L128324A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date: Mar. 2006
Revision
:
1.2
37/47
Read & Write Cycle at Different Bank @ Burst Length = 4
*Note : 1. t
CDL
should be met to complete write.
2. t
RCD
should be met.
C L O C K
C K E
C S
R A S
C A S
A D D R
W E
DQ
DQ M
A10/AP
BA1
BA0
CL =2
CL =3
Row Active
(A-Bank)
Read
(B-Bank)
: D o n ' t C a r e
QAa1 QAa2 QAa3
Ddb1 DDb2 DDd3
DDb0
QAa0
RAa
CBc
RAa
CAa
QAa1 QAa2 QAa3
Ddb1 DDb2 DDd3
DDb0
QAa0
W rite
(D-Bank)
HIGH
RD b
CD b
RBc
RBb
RAc
QBc0 QBc1 QBc2
QBc0 QBc1
Read
(A-Bank)
Row Active
(D-Bank)
Precharge
(A-Bank)
Row Active
(B-Bank)
t
CD L
t
RC D
*Not e 1
*Not e 2
1
9
2
10
3
4
5
6
7
8
11
12
13
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18
16
19
0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M12L128324A-6TG | 1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L16161A-5TG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12L16161A-7BG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12L16161A-7TG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12L2561616A | 4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M12L128324A-6BG2E | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:JEDEC standard 3.3V power supply |
| M12L128324A-6BIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128324A-6TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128324A-6TIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128324A-7BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
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