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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M12L128324A-6BG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PBGA90 |
| 封裝： | 13 X 8 MM, LEAD FREE, FBGA-90 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 12/47頁(yè) |
| 文件大小： | 794K |
| 代理商： | M12L128324A-6BG |
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ES MT
M12L128324A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date: Mar. 2006
Revision
:
1.2
12/47
BURST SEQUENCE (BURST LENGTH = 4)
Initial Address
A1
A0
Sequential
Interleave
0
0
0
1
2
3
0
1
2
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1
1
3
0
1
2
3
2
1
0
BURST SEQUENCE (BURST LENGTH = 8)
Initial
A2
A1
A0
Sequential
Interleave
0
0
0
0
1
2
3
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PDF描述 |
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