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參數(shù)資料
| 型號： | KM44S4020CT |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 2M x 4Bit x 2 Banks Synchronous DRAM(2M x 4位 x 2組同步動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 2米x 4位× 2銀行同步DRAM（2米× 4位× 2組同步動態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 41/44頁 |
| 文件大?。?/td> | 604K |
| 代理商： | KM44S4020CT |
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TIMING DIAGRAM - I
CMOS SDRAM
ELECTRONICS
REV. 4 Nov. '97
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Burst Read Single bit Write Cycle @Burst Length=2
HIGH
Row Active
(A-Bank)
Row Active
(A-Bank)
Write with
Auto Precharge
(B-Bank)
: Don't care
*Note :
1. BRSW modes is enabled by setting A
At the BRSW Mode, the burst length at write is fixed to "1" regaredless of programmed burst length.
2. When BRSW write command with auto precharge is executed, keep it in mind that t
Auto precharge is executed at the burst-end cycle, so in the case of BRSW write command,
the next cycle starts the precharge.
9
"High" at MRS (Mode Register Set).
RAS
should not be violated.
Write
(A-Bank)
*Note 1
Row Active
(B-Bank)
Read
(A-Bank)
Read with
Auto Precharge
(A-Bank)
Precharge
(A-Bank)
*Note 2
BA
A
10
/AP
CL=2
CL=3
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
DAa0
DAa0
QAb0
QAb1
QAb0
QAb1
DBc0
DBc0
QAd0
QAd1
QAd0
QAd1
RAa
CAa
RBb
CAb
RAc
CBc
CAd
RAc
RAa
RBb
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM44S64230A | 16M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM(16M x 4位 x 4組同步動態(tài)RAM) |
| KM44V1000D | 1M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(1M x 4位CMOS 動態(tài)RAM(帶快速頁模式)) |
| KM44V16000B | 16M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(16M x 4位CMOS 動態(tài)RAM(帶快速頁模式)) |
| KM44V16100B | 16M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(16M x 4位CMOS 動態(tài)RAM(帶快速頁模式)) |
| KM44V16100C | 16M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(16M x 4位CMOS 動態(tài)RAM(帶快速頁模式)) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM44S4020CT-G10 | 制造商:SEC 功能描述:SDRAM, 4M x 4, 44 Pin, Plastic, TSOP |
| KM44V1000D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| KM44V4000AS-6 | 制造商:Samsung Electro-Mechanics 功能描述:Dynamic RAM, Fast Page, 4M x 4, 26 Pin, Plastic, TSOP |
| KM44V4000C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| KM44V4100AT-7 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
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