參數(shù)資料
型號(hào)： KM44S4020CT
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 2M x 4Bit x 2 Banks Synchronous DRAM(2M x 4位 x 2組同步動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述： 2米x 4位× 2銀行同步DRAM（2米× 4位× 2組同步動(dòng)態(tài)RAM）的
文件頁(yè)數(shù)： 34/44頁(yè)
文件大小： 604K
代理商： KM44S4020CT
TIMING DIAGRAM - I
CMOS SDRAM
ELECTRONICS
REV. 4 Nov. '97
0
1
2
3
4
5
6
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8
9
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19
Page Write Cycle at Different Bank @Burst Length=4
HIGH
Row Active
(A-Bank)
Row Active
(B-Bank)
Write
(A-Bank)
Write
(B-Bank)
: Don't care
*Note :
1. To interrupt burst write by Row precharge, DQM should be asserted to mask invalid input data.
2. To interrupt burst write by Row precharge, both the write and the precharge banks must be the same.
Write
(A-Bank)
tRDL
Precharge
(Both Banks)
tCDL
Write
(B-Bank)
*Note 1
BA
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
A
10
/AP
RAa
CAa
CBb
CAc
CBd
RAa
*Note 2
DAa0
DAa1
DAa2
DAa3
DBb0
DBb1
DBb2
DBb3
DAc0
DAc1
DBd0
DBd1
RBb
RBb
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KM44S64230A 16M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM(16M x 4位 x 4組同步動(dòng)態(tài)RAM)
KM44V1000D 1M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(1M x 4位CMOS 動(dòng)態(tài)RAM(帶快速頁(yè)模式))
KM44V16000B 16M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(16M x 4位CMOS 動(dòng)態(tài)RAM(帶快速頁(yè)模式))
KM44V16100B 16M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(16M x 4位CMOS 動(dòng)態(tài)RAM(帶快速頁(yè)模式))
KM44V16100C 16M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(16M x 4位CMOS 動(dòng)態(tài)RAM(帶快速頁(yè)模式))
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KM44S4020CT-G10 制造商:SEC 功能描述:SDRAM, 4M x 4, 44 Pin, Plastic, TSOP
KM44V1000D 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode
KM44V4000AS-6 制造商:Samsung Electro-Mechanics 功能描述:Dynamic RAM, Fast Page, 4M x 4, 26 Pin, Plastic, TSOP
KM44V4000C 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode
KM44V4100AT-7 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:
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