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參數(shù)資料
| 型號： | KM44S4020CT |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 2M x 4Bit x 2 Banks Synchronous DRAM(2M x 4位 x 2組同步動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 2米x 4位× 2銀行同步DRAM（2米× 4位× 2組同步動態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 29/44頁 |
| 文件大?。?/td> | 604K |
| 代理商： | KM44S4020CT |
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TIMING DIAGRAM - I
CMOS SDRAM
ELECTRONICS
REV. 4 Nov. '97
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*Note :
1. All inputs except CKE & DQM can be don
2. Bank active & read/write are controlled by BA.
t care when CS is high at the CLK high going edge.
3. Enable and disable auto precharge function are controlled by A10/AP in read/write command.
BA
0
1
0
1
Operation
Disable auto precharge, leave bank A active at end of burst.
Disable auto precharge, leave bank B active at end of burst.
Enable auto precharge, precharge bank A at end of burst.
Enable auto precharge, precharge bank B at end of burst.
4. A10/AP and BA control bank precharge when precharge command is asserted.
A10/AP
BA
0
1
Active & Read/Write
Bank A
Bank B
BA
0
1
X
Precharge
Bank A
Bank B
Both Banks
A10/AP
0
0
1
0
1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM44S64230A | 16M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM(16M x 4位 x 4組同步動態(tài)RAM) |
| KM44V1000D | 1M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(1M x 4位CMOS 動態(tài)RAM(帶快速頁模式)) |
| KM44V16000B | 16M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(16M x 4位CMOS 動態(tài)RAM(帶快速頁模式)) |
| KM44V16100B | 16M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(16M x 4位CMOS 動態(tài)RAM(帶快速頁模式)) |
| KM44V16100C | 16M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(16M x 4位CMOS 動態(tài)RAM(帶快速頁模式)) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM44S4020CT-G10 | 制造商:SEC 功能描述:SDRAM, 4M x 4, 44 Pin, Plastic, TSOP |
| KM44V1000D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| KM44V4000AS-6 | 制造商:Samsung Electro-Mechanics 功能描述:Dynamic RAM, Fast Page, 4M x 4, 26 Pin, Plastic, TSOP |
| KM44V4000C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| KM44V4100AT-7 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
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