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參數(shù)資料
| 型號： | K4S161622D |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 為512k × 16 × 2銀行同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 34/41頁 |
| 文件大?。?/td> | 1127K |
| 代理商： | K4S161622D |
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CMOS SDRAM
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K4S161622D
Clock Suspension & DQM Operation Cycle @CAS Latency=2, Burst Length=4
Row Active
Clock
Suspension
Read
Write
DQM
: Don't care
Clock
Suspension
Read
*Note 1
tSHZ
tSHZ
Write
DQM
Write
Read DQM
*Note :
1. DQM is needed to prevent bus contention.
BA
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
A
10
/AP
Ra
Ca
Cb
Cc
Dc2
Dc0
Qb1
Qb0
Qa3
Qa2
Qa1
Qa0
Ra
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4S161622E | 1M x 16 SDRAM |
| K4S161622E-TC10 | 1M x 16 SDRAM |
| K4S161622E-TC55 | 1M x 16 SDRAM |
| K4S161622E-TC60 | 1M x 16 SDRAM |
| K4S161622E-TC70 | 1M x 16 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4S161622D-TC/L10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM |
| K4S161622D-TC/L55 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM |
| K4S161622D-TC/L60 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM |
| K4S161622D-TC/L70 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM |
| K4S161622D-TC/L80 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM |
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