參數(shù)資料
型號： K4S161622D
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM
中文描述： 為512k × 16 × 2銀行同步DRAM
文件頁數(shù)： 29/41頁
文件大?。?/td> 1127K
代理商： K4S161622D
CMOS SDRAM
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1
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3
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19
K4S161622D
Page Read Cycle at Different Bank @Burst Length=4
HIGH
Row Active
(A-Bank)
Row Active
(B-Bank)
Read
(A-Bank)
Read
(B-Bank)
: Don't care
*Note :
1. CS can be don't cared when RAS, CAS and WE are high at the clock high going dege.
2. To interrupt a burst read by row precharge, both the read and the precharge banks must be the same.
Read
(A-Bank)
*Note 2
*Note 1
Read
(B-Bank)
Read
(A-Bank)
Precharge
(A-Bank)
BA
A
10
/AP
CL=2
CL=3
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
RAa
RBb
RAa
RBb
CAa
CBb
CBd
CAc
CAe
QAa0
QAa1
QAa2
QAa3
QBb0
QBb1 QBb2
QBb3
QAc0
QAc1
QBd0
QBd1
QAe0 QAe1
QAa0
QAa1
QAa2
QAa3
QBb0
QBb1 QBb2
QBb3
QAc0
QAc1
QBd0
QBd1
QAe0 QAe1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4S161622E 1M x 16 SDRAM
K4S161622E-TC10 1M x 16 SDRAM
K4S161622E-TC55 1M x 16 SDRAM
K4S161622E-TC60 1M x 16 SDRAM
K4S161622E-TC70 1M x 16 SDRAM
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參數(shù)描述
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K4S161622D-TC/L55 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM
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