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參數(shù)資料
| 型號： | K4S161622D |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 為512k × 16 × 2銀行同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 31/41頁 |
| 文件大?。?/td> | 1127K |
| 代理商： | K4S161622D |
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CMOS SDRAM
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K4S161622D
Read & Write Cycle at Different Bank @Burst Length=4
HIGH
Row Active
(A-Bank)
Write
(B-Bank)
Row Active
(A-Bank)
: Don't care
*Note :
1. t
CDL
should be met to complete write.
Read
(A-Bank)
*Note 1
tCDL
Row Active
(B-Bank)
Precharge
(A-Bank)
Read
(A-Bank)
BA
A
10
/AP
CL=2
CL=3
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
QAa0
QAa1
QAa2
QAa3
QAa0
QAa1
QAa2
QAa3
DBb0
DBb1
DBb2
DBb3
DBb0
DBb1
DBb2
DBb3
QAc0
QAc1
QAc2
QAc0
QAc1
RAa
CAa
RBb
CBb
RAc
CAc
RAc
RAa
RBb
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4S161622E | 1M x 16 SDRAM |
| K4S161622E-TC10 | 1M x 16 SDRAM |
| K4S161622E-TC55 | 1M x 16 SDRAM |
| K4S161622E-TC60 | 1M x 16 SDRAM |
| K4S161622E-TC70 | 1M x 16 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4S161622D-TC/L10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM |
| K4S161622D-TC/L55 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM |
| K4S161622D-TC/L60 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM |
| K4S161622D-TC/L70 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM |
| K4S161622D-TC/L80 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM |
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