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參數(shù)資料
| 型號： | K4S161622D |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 為512k × 16 × 2銀行同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 30/41頁 |
| 文件大小： | 1127K |
| 代理商： | K4S161622D |
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CMOS SDRAM
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K4S161622D
Page Write Cycle at Different Bank @Burst Length=4
HIGH
Row Active
(A-Bank)
Row Active
(B-Bank)
Write
(A-Bank)
Write
(B-Bank)
: Don't care
*Note :
1. To interrupt burst write by Row precharge, DQM should be asserted to mask invalid input data.
2. To interrupt burst write by Row precharge, both the write and the precharge banks must be the same.
Write
(A-Bank)
tRDL
Precharge
(Both Banks)
tCDL
Write
(B-Bank)
*Note 1
BA
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
A
10
/AP
RAa
CAa
CBb
CAc
CBd
RAa
*Note 2
DAa0
DAa1 DAa2
DAa3
DBb0
DBb1
DBb2 DBb3
DAc0
DAc1
DBd0
DBd1
RBb
RBb
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4S161622E | 1M x 16 SDRAM |
| K4S161622E-TC10 | 1M x 16 SDRAM |
| K4S161622E-TC55 | 1M x 16 SDRAM |
| K4S161622E-TC60 | 1M x 16 SDRAM |
| K4S161622E-TC70 | 1M x 16 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4S161622D-TC/L10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM |
| K4S161622D-TC/L55 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM |
| K4S161622D-TC/L60 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM |
| K4S161622D-TC/L70 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM |
| K4S161622D-TC/L80 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM |
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