參數(shù)資料
型號： IRF6610
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET Silicon Technology with the advanced DirectFETTM
中文描述： HEXFET功率MOSFET硅技術(shù)與先進的DirectFETTM
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大?。?/td> 243K
代理商： IRF6610
IRF6610
6
www.irf.com
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 15a.
Gate Charge Test Circuit
Fig 15b.
Gate Charge Waveform
Vds
Vgs
Id
Vgs(th)
Qgs1 Qgs2
Qgd
Qgodr
Fig 16c.
Unclamped Inductive Waveforms
tp
V
(BR)DSS
I
AS
Fig 16b.
Unclamped Inductive Test Circuit
Fig 17b.
Switching Time Waveforms
V
GS
V
DS
90%
10%
t
d(on)
t
d(off)
t
r
t
f
Fig 17a.
Switching Time Test Circuit
V
GS
Pulse Width < 1μs
Duty Factor < 0.1%
V
DD
V
DS
L
D
D.U.T
+
-
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
V
GS
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PDF描述
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參數(shù)描述
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