參數(shù)資料
型號： IRF6610
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET Silicon Technology with the advanced DirectFETTM
中文描述： HEXFET功率MOSFET硅技術(shù)與先進(jìn)的DirectFETTM
文件頁數(shù)： 5/9頁
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代理商： IRF6610
IRF6610
www.irf.com
5
Fig 13.
Typical Threshold Voltage vs. Junction
Temperature
Fig 12.
Maximum Drain Current vs. Case Temperature
Fig 10.
Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig11.
Maximum Safe Operating Area
Fig 14.
Maximum Avalanche Energy Vs. Drain Current
-75 -50 -25
0
25
50
75
100 125 150
TJ , Temperature ( °C )
1.0
1.5
2.0
2.5
TG
ID = 250μA
25
50
75
100
125
150
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
0
10
20
30
40
50
60
EA
ID
TOP
3.6A
5.3A
BOTTOM 12A
0.10
1.00
10.00
100.00
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
TA = 25°C
TJ = 150°C
Single Pulse
100μsec
1msec
10msec
25
50
75
100
125
150
TC , Case Temperature (°C)
0
10
20
30
40
50
60
70
ID
0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
0
1
10
100
1000
IS
TJ = 150°C
TJ = 25°C
TJ = -40°C
VGS = 0V
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PDF描述
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