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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT82V3280DQG8 |
| 廠商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件頁數(shù)： | 124/171頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PLL WAN SE STRATUM 2 100-TQFP |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 750 |
| 類型： | 時(shí)鐘/頻率發(fā)生器，多路復(fù)用器 |
| PLL： | 是 |
| 主要目的： | 以太網(wǎng)，SONET/SDH，Stratum |
| 輸入： | CMOS，LVDS，PECL |
| 輸出： | CMOS，LVDS，PECL |
| 電路數(shù)： | 1 |
| 比率 - 輸入:輸出： | 14:9 |
| 差分 - 輸入:輸出： | 是/是 |
| 頻率 - 最大： | 622.08MHz |
| 電源電壓： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 100-LQFP 裸露焊盤 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 100-TQFP-EP（14x14） |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |
| 其它名稱： | 82V3280DQG8 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁當(dāng)前第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁
IDT82V3280
WAN PLL
Microprocessor Interface
56
December 9, 2008
5.5
SERIAL MODE
In a read operation, the active edge of SCLK is selected by CLKE.
When CLKE is asserted low, data on SDO will be clocked out on the ris-
ing edge of SCLK. When CLKE is asserted high, data on SDO will be
clocked out on the falling edge of SCLK.
In a write operation, data on SDI will be clocked in on the rising edge
of SCLK.
Figure 23. Serial Read Timing Diagram (CLKE Asserted Low)
Figure 24. Serial Read Timing Diagram (CLKE Asserted High)
Table 39: Read Timing Characteristics in Serial Mode
Symbol
Parameter
Min
Typ
Max
Unit
T
One cycle time of the master clock
12.86
ns
tin
Delay of input pad
5
ns
tout
Delay of output pad
5
ns
tsu1
Valid SDI to valid SCLK setup time
4
ns
tsu2
Valid CS to valid SCLK setup time
14
ns
td1
Valid SCLK to valid data delay time
10
ns
td2
CS rising edge to SDO high impedance delay time
10
ns
tpw1
SCLK pulse width low
3.5T + 5
ns
tpw2
SCLK pulse width high
3.5T + 5
ns
th1
Valid SDI after valid SCLK hold time
6
ns
th2
Valid CS after valid SCLK hold time (CLKE = 0/1)
5
ns
tTI
Time between consecutive Read-Read or Read-Write accesses
(CS rising edge to CS falling edge)
10
ns
CS
SCLK
SDI
SDO
High-Z
D0
D1
D2
D3 D4
D5
D6
D7
tpw2
tpw1
tsu2
tsu1
th1
th2
td1
t
d2
R/W A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
CS
SCLK
SDI
SDO
High-Z
R/W
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
td1
td2
th2
相關(guān)PDF資料 |
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