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參數(shù)資料
| 型號： | HYB25D128400CT-5 |
| 廠商： | QIMONDA AG |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 4 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| 封裝： | PLASTIC, TSOP2-66 |
| 文件頁數(shù)： | 30/44頁 |
| 文件大小： | 2618K |
| 代理商： | HYB25D128400CT-5 |
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HYB25D128[40/80/16]0C[C/E/F/T]
128-Mbit Double-Data-Rate SDRAM
Internet Data Sheet
Rev. 1.70, 2008-04
36
03292006-U5AN-6TI1
TABLE 26
I
DD Specification
1) Test conditions for typical values:
V
DD = 2.5 V (DDR266, DDR333), VDD = 2.6 V (DDR400), TA = 25 °C, test conditions for maximum values:
V
DD = 2.7 V, TA = 10 °C.
2)
I
DD specifications are tested after the device is properly initialized and measured at 133MHz for DDR266, 166 MHz for DDR333 and 200
MHz for DDR400.
3)
Input slew rate = 1 V/ns.
4) Enables on-chip refresh and address counters.
–5
–6
–7
Unit
Note/Test Condition1)
DDR400B
DDR333
DDR266A
Symbol
Typ.
Max.
Typ.
Max.
Typ.
Max.
I
DD0
70
90
60
75
50
65
mA
×4/×8 2)3)
75
90
65
75
55
65
mA
×16
I
DD1
80
100
70
85
65
75
mA
×4/×8
95
110
80
95
70
85
mA
×16
I
DD2P
45
3.5
4.5
34
mA
I
DD2F
30
36
25
30
20
24
mA
I
DD2Q
20
28
17
24
15
21
mA
I
DD3P
13
18
11
15
9
13
mA
I
DD3N
38
45
32
38
28
36
mA
×4/×8
43
54
36
45
30
40
mA
×16
I
DD4R
85
100
70
85
60
70
mA
×4/×8
100
120
85
100
70
85
mA
×16
I
DD4W
90
105
75
90
65
75
mA
×4/×8
100
130
90
110
75
90
mA
×16
I
DD5
140
190
120
160
100
140
mA
I
DD6
1.4
2.8
1.4
2.8
1.4
2.8
mA
Standard version 4)
I
DD7
210
250
180
215
140
170
mA
×4/×8
210
250
180
215
140
170
mA
×16
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| HYB39S128160TEL-7 | MEMORY SPECTRUM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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