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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB25D128400CT-5 |
| 廠商： | QIMONDA AG |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 4 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| 封裝： | PLASTIC, TSOP2-66 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 27/44頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 2618K |
| 代理商： | HYB25D128400CT-5 |
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HYB25D128[40/80/16]0C[C/E/F/T]
128-Mbit Double-Data-Rate SDRAM
Internet Data Sheet
Rev. 1.70, 2008-04
33
03292006-U5AN-6TI1
TABLE 24
AC Timing - Absolute Specifications
Parameter
Symbol
–7
Unit Note/ Test
Condition 1)
DDR266A
Min.
Max.
DQ output access time from CK/CK
t
AC
–0.75
+0.75
ns
CK high-level width
t
CH
0.45
0.55
t
CK
Clock cycle time
t
CK
7.5
12
ns
CL = 3.0 2)3)4)5)
7.5
12
ns
CL = 2.5 2)3)4)5)
7.5
12
ns
CL = 2.0 2)3)4)5)
CK low-level width
t
CL
0.45
0.55
t
CK
Auto precharge write recovery + precharge time
t
DAL
(
t
WR/tCK)+(tRP/tCK)
t
CK
DQ and DM input hold time
t
DH
0.5
—
ns
DQ and DM input pulse width (each input)
t
DIPW
1.75
—
ns
DQS output access time from CK/CK
t
DQSCK
–0.75
+0.75
ns
DQS input low (high) pulse width (write cycle)
t
DQSL,H
0.35
—
t
CK
DQS-DQ skew (DQS and associated DQ signals)
t
DQSQ
—
+0.5
ns
TSOPII 2)3)4)5)
DQS-DQ skew (DQS and associated DQ signals)
t
DQSQ
—+0.5
ns
TFBGA 2)3)4)5)
Write command to 1st DQS latching transition
t
DQSS
0.75
1.25
t
CK
DQ and DM input setup time
t
DS
0.5
—
ns
DQS falling edge hold time from CK (write cycle)
t
DSH
0.2
—
t
CK
DQS falling edge to CK setup time (write cycle)
t
DSS
0.2
—
t
CK
Clock Half Period
t
HP
min. (
t
CL, tCH)—
ns
DQ & DQS high-impedance time from CK/CK
t
HZ
—
+0.75
ns
Address and control input hold time
t
IH
0.9
—
ns
fast slew rate
1.0
1.1
ns
slow slew rate
Control and Addr. input pulse width (each input)
t
IPW
2.2
—
ns
Address and control input setup time
t
IS
0.9
—
ns
fast slew rate
1.0
—
ns
slow slew
DQ & DQS low-impedance time from CK/CK
t
LZ
–0.75
+0.75
ns
Mode register set command cycle time
t
MRD
2—
t
CK
DQ/DQS output hold time from DQS
t
QH
t
HP –tQHS
—ns
Data hold skew factor
t
QHS
—
+0.75
ns
Data hold skew factor
t
QHS
—
+0.75
ns
TFBGA 2)3)4)5)
Active to Autoprecharge delay
t
RAP
tRCD or tRASmin
—ns
Active to Precharge command
t
RAS
45
120E+3
ns
Active to Active/Auto-refresh command period
t
RC
65
—
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| HYB39S128160TEL-7 | MEMORY SPECTRUM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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