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參數(shù)資料
| 型號： | GS8182S18GBD-200I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 1M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, MO-216CAB-1, FPBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 9/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 339K |
| 代理商： | GS8182S18GBD-200I |
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Preliminary
GS8182S08/09/18BD-333/300/250/200/167
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.00a 6/2007
17/36
2007, GSI Technology
AC Test Load Diagram
Capacitance
(TA = 25
oC, f = 1 MHZ, V
DD = 3.3 V)
Parameter
Symbol
Test conditions
Typ.
Max.
Unit
Input Capacitance
CIN
VIN = 0 V
45
pF
Output Capacitance
COUT
VOUT = 0 V
67
pF
Note: This parameter is sample tested.
AC Test Conditions
Parameter
Conditions
Input high level
VDDQ
Input low level
0 V
Max. input slew rate
2 V/ns
Input reference level
VDDQ/2
Output reference level
VDDQ/2
Note:
Test conditions as specified with output loading as shown unless otherwise noted.
Input and Output Leakage Characteristics
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min.
Max
Notes
Input Leakage Current
(except mode pins)
IIL
VIN = 0 to VDD
–2 uA
2 uA
Doff
IINDOFF
VDD ≥ VIN ≥ VIL
0 V
≤ V
IN ≤ V
IL
–100 uA
–2 uA
2 uA
Output Leakage Current
IOL
Output Disable,
VOUT = 0 to VDDQ
–2 uA
2 uA
DQ
VT = VDDQ/2
50
Ω
RQ = 250
Ω (HSTL I/O)
VREF = 0.75 V
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