參數(shù)資料
型號(hào)： GS8182S18GBD-200I
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類(lèi)： SRAM
英文描述： 1M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, MO-216CAB-1, FPBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 26/36頁(yè)
文件大?。?/td> 339K
代理商： GS8182S18GBD-200I
Preliminary
GS8182S08/09/18BD-333/300/250/200/167
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.00a 6/2007
32/36
2007, GSI Technology
JTAG Port AC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Min.
Max
Unit
TCK Cycle Time
tCHCH
50
—
ns
TCK High Pulse Width
tCHCL
20
—
ns
TCK Low Pulse Width
tCLCH
20
—
ns
TMS Input Setup Time
tMVCH
5—
ns
TMS Input Hold Time
tCHMX
5—
ns
TDI Input Setup Time
tDVCH
5—
ns
TDI Input Hold Time
tCHDX
5—
ns
SRAM Input Setup Time
tSVCH
5—
ns
SRAM Input Hold Time
tCHSX
5—
ns
Clock Low to Output Valid
tCLQV
010
ns
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