參數(shù)資料
型號(hào)： GS8182S18GBD-200I
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： SRAM
英文描述： 1M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, MO-216CAB-1, FPBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 8/36頁(yè)
文件大?。?/td> 339K
代理商： GS8182S18GBD-200I
Preliminary
GS8182S08/09/18BD-333/300/250/200/167
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.00a 6/2007
16/36
2007, GSI Technology
HSTL I/O AC Input Definitions
HSTL I/O DC Input Characteristics
Parameter
Symbol
Min
Max
Units
Notes
DC Input Logic High
VIH (dc)
VREF + 0.1
VDDQ + 0.3
mV
1
DC Input Logic Low
VIL (dc)
–0.3
VREF – 0.1
mV
1
Note:
Compatible with both 1.8 V and 1.5 V I/O drivers
HSTL I/O AC Input Characteristics
Parameter
Symbol
Min
Max
Units
Notes
AC Input Logic High
VIH (ac)
VREF + 0.2
—mV
3,4
AC Input Logic Low
VIL (ac)
—
VREF – 0.2
mV
3,4
VREF Peak to Peak AC Voltage
VREF (ac)
—
5% VREF (DC)
mV
1
Notes:
1. The peak to peak AC component superimposed on VREF may not exceed 5% of the DC component of VREF.
2. To guarantee AC characteristics, VIH,VIL, Trise, and Tfall of inputs and clocks must be within 10% of each other.
3. For devices supplied with HSTL I/O input buffers. Compatible with both 1.8 V and 1.5 V I/O drivers.
4. See AC Input Definition drawing below.
VIH (ac)
VREF
VIL (ac)
20% tKHKH
VSS – 1.0 V
50%
VSS
VIH
Undershoot Measurement and Timing
Overshoot Measurement and Timing
20% tKHKH
VDD + 1.0 V
50%
VDD
VIL
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