參數(shù)資料
型號： GS8182S18GBD-200I
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： SRAM
英文描述： 1M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, MO-216CAB-1, FPBGA-165
文件頁數(shù)： 10/36頁
文件大小： 339K
代理商： GS8182S18GBD-200I
Preliminary
GS8182S08/09/18BD-333/300/250/200/167
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.00a 6/2007
18/36
2007, GSI Technology
Programmable Impedance HSTL Output Driver DC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Min.
Max.
Units Notes
Output High Voltage
VOH1
VDDQ/2 – 0.12 VDDQ/2 + 0.12
V
1, 3
Output Low Voltage
VOL1
VDDQ/2 – 0.12 VDDQ/2 + 0.12
V
2, 3
Output High Voltage
VOH2
VDDQ – 0.2
VDDQ
V
4, 5
Output Low Voltage
VOL2
Vss
0.2
V
4, 6
Notes:
1.
IOH = (VDDQ/2) / (RQ/5) +/– 15% @ VOH = VDDQ/2 (for: 175Ω ≤ RQ ≤ 350Ω).
2.
IOL = (VDDQ/2) / (RQ/5) +/– 15% @ VOL = VDDQ/2 (for: 175Ω ≤ RQ ≤ 350Ω).
3. Parameter tested with RQ = 250
Ω and VDDQ = 1.5 V or 1.8 V
4. 0
Ω ≤ RQ ≤ ∞Ω
5. IOH = –1.0 mA
6. IOL = 1.0 mA
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