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參數(shù)資料
| 型號： | GS8162V18AGB-350I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 1M X 18 CACHE SRAM, 4.5 ns, PBGA119 |
| 封裝： | PLASTIC, BGA-119 |
| 文件頁數(shù)： | 4/37頁 |
| 文件大?。?/td> | 947K |
| 代理商： | GS8162V18AGB-350I |
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Rev: 1.00a 6/2003
12/37
2003, Giga Semiconductor, Inc.
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
GS8162V18A(B/D)/GS8162V36A(B/D)/GS8162V72A(C)
Preliminary
Byte Write Truth Table
Notes:
1. All byte outputs are active in read cycles regardless of the state of Byte Write Enable inputs.
2. Byte Write Enable inputs BA, BB, BC, and/or BD may be used in any combination with BW to write single or multiple bytes.
3. All byte I/Os remain High-Z during all write operations regardless of the state of Byte Write Enable inputs.
4. Bytes “C” and “D” are only available on the x36 version.
Function
GW
BW
BA
BB
BC
BD
Notes
Read
H
X
1
Read
H
L
HHHH
1
Write byte a
H
L
H
2, 3
Write byte b
H
L
H
L
H
2, 3
Write byte c
H
L
H
L
H
2, 3, 4
Write byte d
H
L
H
L
2, 3, 4
Write all bytes
H
LLLLL
2, 3, 4
Write all bytes
L
XXXX
X
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8162Z72CGC-250IVT | 256K X 72 ZBT SRAM, 5.5 ns, PBGA209 |
| GS8162ZV36AGD-350I | 512K X 36 ZBT SRAM, 4.5 ns, PBGA165 |
| GS82032GQ-150IT | 64K X 32 CACHE SRAM, 9 ns, PQFP100 |
| GS820V32GQ-5 | 64K X 32 CACHE SRAM, 5 ns, PQFP100 |
| GS8321E18AD-333IT | CACHE SRAM, PBGA165 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8162V72CC-150 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC SGL 1.8V 18MBIT 256KX72 7.5NS/3.8NS 209BGA - Trays |
| GS8162V72CC-150I | 制造商:GSI Technology 功能描述:256K X 72 (18 MEG) SYNCH BURST, SCD, JTAG, FLEXDRIVE - Trays |
| GS8162Z18BB-150 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 18MBIT 1MX18 7.5NS/3.8NS 119FBGA - Trays |
| GS8162Z18BB-150I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 18MBIT 1MX18 7.5NS/3.8NS 119FBGA - Trays |
| GS8162Z18BB-150IV | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V/2.5V 18MBIT 1MX18 7.5NS/3.8NS 119FPBGA - Trays |
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