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參數(shù)資料
| 型號： | GS8162V18AGB-350I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 1M X 18 CACHE SRAM, 4.5 ns, PBGA119 |
| 封裝： | PLASTIC, BGA-119 |
| 文件頁數(shù)： | 13/37頁 |
| 文件大小： | 947K |
| 代理商： | GS8162V18AGB-350I |
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Rev: 1.00a 6/2003
20/37
2003, Giga Semiconductor, Inc.
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
GS8162V18A(B/D)/GS8162V36A(B/D)/GS8162V72A(C)
Preliminary
Operatin
gCurren
ts
Notes:
1.
I DD
and
I DDQ
apply
to
any
combination
of
V
DD3
,V
DD2
,V
DDQ3
,and
V
DD
Q
2operation.
2.
All
parameters
listed
are
worst
case
scenario.
Parameter
Test
Conditio
ns
M
ode
Symbol
-350
-333
-300
-250
-20
0
-15
0
Unit
0
to
70
°C
–40
to
85°C
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70°C
–40
to
85
°C
Operat
in
g
Current
De
vi
ce
Sel
ect
ed
;
All
othe
rinputs
≥V
IH
or
≤
V
IL
Output
open
(x72
)
Pi
pe
line
I DD
I DDQ
——
415
80
425
80
350
75
360
75
290
55
300
55
230
40
240
40
mA
Fl
ow
Through
I DD
I DDQ
——
290
55
300
55
265
50
275
50
230
45
240
45
210
40
220
40
mA
(x32
/
x3
6)
Pi
pe
line
I DD
I DDQ
40
0
55
410
55
380
50
390
50
345
45
355
45
290
40
300
40
240
30
250
30
190
20
200
20
mA
Fl
ow
Through
I DD
I DDQ
27
0
35
280
35
255
30
265
30
240
30
250
30
220
20
230
20
190
15
200
15
175
15
185
15
mA
(x18
)
Pi
pe
line
I DD
I DDQ
36
0
35
370
35
340
30
350
30
310
25
320
25
260
20
270
20
215
15
225
15
170
15
180
15
mA
Fl
ow
Through
I DD
I DDQ
25
0
20
260
20
235
15
245
15
215
15
225
15
200
10
210
10
175
10
185
10
160
10
170
10
mA
St
and
by
Current
ZZ
≥
V
DD
–0.2
V
—
Pi
pe
line
I SB
40
50
40
50
40
50
40
50
40
50
40
50
m
A
Fl
ow
Through
I SB
40
50
40
50
40
50
40
50
40
50
40
50
m
A
De
selec
t
Current
D
evi
ce
D
es
ele
ct
ed
;
All
othe
rinputs
≥
V
IH
or
≤V
IL
—
Pi
pe
line
I DD
90
95
90
95
85
90
85
90
75
80
60
65
m
A
Fl
ow
Through
I DD
70
75
70
75
60
65
60
65
50
55
50
55
m
A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8162Z72CGC-250IVT | 256K X 72 ZBT SRAM, 5.5 ns, PBGA209 |
| GS8162ZV36AGD-350I | 512K X 36 ZBT SRAM, 4.5 ns, PBGA165 |
| GS82032GQ-150IT | 64K X 32 CACHE SRAM, 9 ns, PQFP100 |
| GS820V32GQ-5 | 64K X 32 CACHE SRAM, 5 ns, PQFP100 |
| GS8321E18AD-333IT | CACHE SRAM, PBGA165 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8162V72CC-150 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC SGL 1.8V 18MBIT 256KX72 7.5NS/3.8NS 209BGA - Trays |
| GS8162V72CC-150I | 制造商:GSI Technology 功能描述:256K X 72 (18 MEG) SYNCH BURST, SCD, JTAG, FLEXDRIVE - Trays |
| GS8162Z18BB-150 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 18MBIT 1MX18 7.5NS/3.8NS 119FBGA - Trays |
| GS8162Z18BB-150I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 18MBIT 1MX18 7.5NS/3.8NS 119FBGA - Trays |
| GS8162Z18BB-150IV | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V/2.5V 18MBIT 1MX18 7.5NS/3.8NS 119FPBGA - Trays |
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