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參數(shù)資料
| 型號： | GS8161Z18DGD-200IVT |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 1M X 18 ZBT SRAM, 6.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 34/35頁 |
| 文件大小： | 488K |
| 代理商： | GS8161Z18DGD-200IVT |
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GS8161ZxxD(GT/D)-xxxV
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.00 6/2011
8/35
2011, GSI Technology
Preliminary
GS8161Z18/32/36DGD-xxxV 165-Bump BGA Pin Description
Symbol
Type
Description
A0, A1
I
Address field LSBs and Address Counter Preset Inputs
An
I
Address Inputs
DQA
DQB
DQC
DQD
I/O
Data Input and Output pins
BA, BB, BC, BD
I
Byte Write Enable for DQA, DQB, DQC, DQD I/Os; active low
CK
I
Clock Input Signal; active high
CKE
I
Clock Enable; active low
W
I
Write Enable; active low
E1
I
Chip Enable; active low
E3
I
Chip Enable; active low
E2
I
Chip Enable; active high
FT
I
Flow Through / Pipeline Mode Control
G
I
Output Enable; active low
ADV
I
Burst address counter advance enable; active high
ZZ
I
Sleep mode control; active high
LBO
I
Linear Burst Order mode; active low
TMS
I
Scan Test Mode Select
TDI
I
Scan Test Data In
TDO
O
Scan Test Data Out
TCK
I
Scan Test Clock
MCH
—
Must Connect High
VDD
I
Core power supply
VSS
I
I/O and Core Ground
VDDQ
I
Output driver power supply
NC
—
No Connect
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| GS816218 | 1M x 18, 512K x 36 18Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS816236D-150IT | 512K X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA165 |
| GS816236B-133IT | 512K X 36 CACHE SRAM, 8.5 ns, PBGA119 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| GS8161Z18DGD-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:165 BGA - Bulk |
| GS8161Z18DGD-375 | 制造商:GSI Technology 功能描述:165 BGA - Bulk |
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| GS8161Z18DGT-150 | 制造商:GSI Technology 功能描述:100 TQFP - Bulk |
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