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參數(shù)資料
| 型號： | GS8161Z18DGD-200IVT |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 1M X 18 ZBT SRAM, 6.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 14/35頁 |
| 文件大?。?/td> | 488K |
| 代理商： | GS8161Z18DGD-200IVT |
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GS8161ZxxD(GT/D)-xxxV
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.00 6/2011
21/35
2011, GSI Technology
Preliminary
Notes:
1. These parameters are sampled and are not 100% tested.
2. ZZ is an asynchronous signal. However, in order to be recognized on any given clock cycle, ZZ must meet the specified setup and hold
times as specified above.
AC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
-333
-250
-200
-150
Unit
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Pipeline
Clock Cycle Time
tKC
3.0
—
4.0
—
5.0
—
6.7
—
ns
Clock to Output Valid
tKQ
—
3.0
—
3.0
—
3.0
—
3.8
ns
Clock to Output Invalid
tKQX
1.5
—
1.5
—
1.5
—
1.5
—
ns
Clock to Output in Low-Z
tLZ1
1.5
—
1.5
—
1.5
—
1.5
—
ns
Setup time
tS
1.0
—
1.2
—
1.4
—
1.5
—
ns
Hold time
tH
0.1
—
0.2
—
0.4
—
0.5
—
ns
Flow
Through
Clock Cycle Time
tKC
5.0
—
5.5
—
6.5
—
7.5
—
ns
Clock to Output Valid
tKQ
—
5.0
—
5.5
—
6.5
—
7.5
ns
Clock to Output Invalid
tKQX
2.0
—
2.0
—
2.0
—
2.0
—
ns
Clock to Output in Low-Z
tLZ1
2.0
—
2.0
—
2.0
—
2.0
—
ns
Setup time
tS
1.3
—
1.5
—
1.5
—
1.5
—
ns
Hold time
tH
0.3
—
0.5
—
0.5
—
0.5
—
ns
Clock HIGH Time
tKH
1.0
—
1.3
—
1.3
—
1.5
—
ns
Clock LOW Time
tKL
1.2
—
1.5
—
1.5
—
1.7
—
ns
Clock to Output in
High-Z
tHZ1
1.5
2.5
1.5
2.5
1.5
3.0
1.5
3.8
ns
G to Output Valid
tOE
—
2.5
—
2.5
—
3.0
—
3.8
ns
G to output in Low-Z
tOLZ1
0
—
0
—
0
—
0
—
ns
G to output in High-Z
tOHZ1
—
2.5
—
2.5
—
3.0
—
3.8
ns
ZZ setup time
tZZS2
5
—
5
—
5
—
5
—
ns
ZZ hold time
tZZH2
1
—
1
—
1
—
1
—
ns
ZZ recovery
tZZR
20
—
20
—
20
—
20
—
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8161Z18DT-250IV | 1M X 18 ZBT SRAM, 5.5 ns, PQFP100 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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