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參數(shù)資料
| 型號： | GS8161Z18DGD-200IVT |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 1M X 18 ZBT SRAM, 6.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 22/35頁 |
| 文件大小： | 488K |
| 代理商： | GS8161Z18DGD-200IVT |
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GS8161ZxxD(GT/D)-xxxV
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.00 6/2011
29/35
2011, GSI Technology
Preliminary
JTAG Port Recommended Operating Conditions and DC Characteristics (1.8/2.5 V Version)
Parameter
Symbol
Min.
Max.
Unit Notes
1.8 V Test Port Input Low Voltage
VILJ1
–
0.3
0.3 * VDD1
V
1
2.5 V Test Port Input Low Voltage
VILJ2
–
0.3
0.3 * VDD2
V
1
1.8 V Test Port Input High Voltage
VIHJ1
0.6 * VDD1
VDD1 +0.3
V
1
2.5 V Test Port Input High Voltage
VIHJ2
0.6 * VDD2
VDD2 +0.3
V
1
TMS, TCK and TDI Input Leakage Current
IINHJ
–
300
1
uA
2
TMS, TCK and TDI Input Leakage Current
IINLJ
–
1
100
uA
3
TDO Output Leakage Current
IOLJ
–
1
uA
4
Test Port Output High Voltage
VOHJ
1.7
—
V
5, 6
Test Port Output Low Voltage
VOLJ
—
0.4
V
5, 7
Test Port Output CMOS High
VOHJC
VDDQ – 100 mV
—
V
5, 8
Test Port Output CMOS Low
VOLJC
—
100 mV
V
5, 9
Notes:
1. Input Under/overshoot voltage must be –2 V < Vi < VDDn +2 V not to exceed 4.6 V maximum, with a pulse width not to exceed 20% tTKC.
2. VILJ VIN VDDn
3. 0 V
V
IN V
ILJn
4. Output Disable, VOUT = 0 to VDDn
5. The TDO output driver is served by the VDDQ supply.
6. IOHJ = –4 mA
7. IOLJ = + 4 mA
8. IOHJC = –100 uA
9. IOLJC = +100 uA
Notes:
1. Include scope and jig capacitance.
2. Test conditions as shown unless otherwise noted.
JTAG Port AC Test Conditions
Parameter
Conditions
Input high level
VDD – 0.2 V
Input low level
0.2 V
Input slew rate
1 V/ns
Input reference level
VDDQ/2
Output reference level
VDDQ/2
DQ
VDDQ/2
50
30pF*
JTAG Port AC Test Load
* Distributed Test Jig Capacitance
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8161Z18DT-250IV | 1M X 18 ZBT SRAM, 5.5 ns, PQFP100 |
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| GS816218 | 1M x 18, 512K x 36 18Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS816236D-150IT | 512K X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA165 |
| GS816236B-133IT | 512K X 36 CACHE SRAM, 8.5 ns, PBGA119 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| GS8161Z18DGD-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:165 BGA - Bulk |
| GS8161Z18DGD-375 | 制造商:GSI Technology 功能描述:165 BGA - Bulk |
| GS8161Z18DGD-375I | 制造商:GSI Technology 功能描述:165 BGA - Bulk |
| GS8161Z18DGT-150 | 制造商:GSI Technology 功能描述:100 TQFP - Bulk |
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